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固態(tài)硬盤(pán)gpt和mbr區別

時(shí)間:2024-09-11 15:07:47 路燕 硬件維護 我要投稿
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固態(tài)硬盤(pán)gpt和mbr區別

  固態(tài)硬盤(pán)是一種比傳統機械硬盤(pán)運行都要更快的硬盤(pán),那么固態(tài)硬盤(pán)gpt和mbr區別有哪些呢?下面就讓我們來(lái)了解一下吧!

  MBR分區表:

  在傳統硬盤(pán)分區模式中,引導扇區是每個(gè)分區(Partition)的第一扇區,而主引導扇區是硬盤(pán)的第一扇區。它由三個(gè)部分組成,主引導記錄MBR、硬盤(pán)分區表DPT和硬盤(pán)有效標志。在總共512字節的主引導扇區里MBR占446個(gè)字節,第二部分是Partition table區(分區表),即DPT,占64個(gè)字節,硬盤(pán)中分區有多少以及每一分區的大小都記在其中。第三部分是magic number,占2個(gè)字節,固定為55AA。

  一個(gè)扇區的硬盤(pán)主引導記錄MBR由4個(gè)部分組成。

  主引導程序(偏移地址0000H--0088H),它負責從活動(dòng)分區中裝載,并運行系統引導程序。

  出錯信息數據區,偏移地址0089H--00E1H為出錯信息,00E2H--01BDH全為0字節。

  分區表(DPT,Disk Partition Table)含4個(gè)分區項,偏移地址01BEH--01FDH,每個(gè)分區表項長(cháng)16個(gè)字節,共64字節為分區項1、分區項2、分區項3、分區項4。

  結束標志字,偏移地址01FE--01FF的2個(gè)字節值為結束標志55AA,如果該標志錯誤系統就不能啟動(dòng)。

  GPT分區表:

  GPT的分區信息是在分區中,而不象MBR一樣在主引導扇區,為保護GPT不受MBR類(lèi)磁盤(pán)管理軟件的危害,GPT在主引導扇區建立了一個(gè)保護分區(Protective MBR)的MBR分區表(此分區并不必要),這種分區的類(lèi)型標識為0xEE,這個(gè)保護分區的大小在Windows下為128MB,Mac OS X下為200MB,在Window磁盤(pán)管理器里名為GPT保護分區,可讓MBR類(lèi)磁盤(pán)管理軟件把GPT看成一個(gè)未知格式的分區,而不是錯誤地當成一個(gè)未分區的磁盤(pán)。

  另外,為了保護分區表,GPT的分區信息在每個(gè)分區的頭部和尾部各保存了一份,以便分區表丟失以后進(jìn)行恢復。

  對于基于x86/64的Windows想要從GPT磁盤(pán)啟動(dòng),主板的芯片組必須支持UEFI(這是強制性的,但是如果僅把GPT用作數據盤(pán)則無(wú)此限制),例如Win8/Win8.1原生支持從UEFI引導的GPT分區表上啟動(dòng),大多數預裝Win8系統的電腦也逐漸采用了GPT分區表。至于如何判斷主板芯片組是否支持UEFI,一般可以查閱主板說(shuō)明書(shū)或者廠(chǎng)商的網(wǎng)址,也可以通過(guò)查看BIOS設置里面是否有UEFI字樣。

  拓展:

  固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢

  1、讀取速度

  固態(tài)硬盤(pán)的讀取速度普遍可以達到400M/s,寫(xiě)入速度也可以達到130M/s以上,其讀寫(xiě)速度是普通機械硬盤(pán)的3-5倍;

  2、抗震能力

  傳統的機械硬盤(pán)內部有高速運轉的磁頭,其抗震能力很差,因此一般的機械硬盤(pán)電如果是在運動(dòng)中或者震動(dòng)中使用,很容易損壞硬盤(pán)。而機械硬盤(pán)采用芯片存儲方案,內部無(wú)磁頭,具備超強的抗震能力,即便是在運動(dòng)或者震動(dòng)中使用,也不容易損壞。

  3、功耗

  固態(tài)硬盤(pán)功耗低,并且具備極低功耗待機功能,而機械硬盤(pán)則不具備;

  4、噪音

  固態(tài)硬盤(pán)運行中基本聽(tīng)不到任何噪音,而機械硬盤(pán)一般湊近聽(tīng)可以聽(tīng)到內部的磁盤(pán)轉動(dòng)以及震動(dòng)的聲音,一些使用比較久的機械硬盤(pán)噪音更為明顯。

  5、發(fā)熱

  機械硬盤(pán)發(fā)熱較少,即便是在運行一段時(shí)間后,其表面也感受不到明顯的發(fā)熱,而機械硬盤(pán)運行一段時(shí)間后,用手觸摸可以明顯感受到是熱的。

  固態(tài)硬盤(pán)內部構造:

  1.主控。主控芯片是固態(tài)硬盤(pán)的大腦,其作用一是合理調配數據在各個(gè)閃存芯片上的負荷,二則是承擔了整個(gè)數據中轉,連接閃存芯片和外部SATA接口。不同的主控之間能力相差非常大,在數據處理能力、算法,對閃存芯片的讀取寫(xiě)入控制上會(huì )有非常大的不同,直接會(huì )導致固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品在性能上差距高達數十倍。

  2.緩存。固態(tài)硬盤(pán)和傳統硬盤(pán)一樣需要高速的緩存芯片輔助主控芯片進(jìn)行數據處理。這里需要注意的是,有一些廉價(jià)固態(tài)硬盤(pán)方案為了節省成本,省去了這塊緩存芯片,這樣對于使用時(shí)的性能會(huì )有一定的影響。

  3.內存。除了主控芯片和緩存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為SLC(單層單元)MLC(多層單元)以及TLC(三層單元)NAND閃存。

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