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硬盤(pán)基本知識大全
在平時(shí)的學(xué)習中，相信大家一定都接觸過(guò)知識點(diǎn)吧！知識點(diǎn)是知識中的最小單位，最具體的內容，有時(shí)候也叫“考點(diǎn)”。想要一份整理好的知識點(diǎn)嗎？下面是小編幫大家整理的硬盤(pán)基本知識大全，希望對大家有所幫助。
硬盤(pán)基本知識 篇1
1.磁道，扇區，柱面和磁頭數
硬盤(pán)最基本的組成部分是由堅硬金屬材料制成的涂以磁性介質(zhì)的盤(pán)片，不同容量硬盤(pán)的盤(pán)片數不等。每個(gè)盤(pán)片有兩面，都可記錄信息。盤(pán)片被分成許多扇形的區域，每個(gè)區域叫一個(gè)扇區，每個(gè)扇區可存儲128×2的N次方（N＝0.1.2.3）字節信息。在DOS中每扇區是128×2的2次方＝512字節，盤(pán)片表面上以盤(pán)片中心為圓心，不同半徑的同心圓稱(chēng)為磁道。硬盤(pán)中，不同盤(pán)片相同半徑的磁道所組成的圓柱稱(chēng)為柱面。磁道與柱面都是表示不同半徑的圓，在許多場(chǎng)合，磁道和柱面可以互換使用，我們知道，每個(gè)磁盤(pán)有兩個(gè)面，每個(gè)面都有一個(gè)磁頭，習慣用磁頭號來(lái)區分。扇區，磁道（或柱面）和磁頭數構成了硬盤(pán)結構的基本參數，幫這些參數可以得到硬盤(pán)的容量，基計算公式為：存儲容量＝磁頭數×磁道（柱面）數×每道扇區數×每扇區字節數
要點(diǎn)：
�。�1）硬盤(pán)有數個(gè)盤(pán)片，每盤(pán)片兩個(gè)面，每個(gè)面一個(gè)磁頭
�。�2）盤(pán)片被劃分為多個(gè)扇形區域即扇區
�。�3）同一盤(pán)片不同半徑的同心圓為磁道
�。�4）不同盤(pán)片相同半徑構成的圓柱面即柱面
�。�5）公式：存儲容量＝磁頭數×磁道（柱面）數×每道扇區數×每扇區字節數
�。�6）信息記錄可表示為：××磁道（柱面），××磁頭，××扇區
2.簇
“簇”是DOS進(jìn)行分配的最小單位。當創(chuàng )建一個(gè)很小的文件時(shí)，如是一個(gè)字節，則它在磁盤(pán)上并不是只占一個(gè)字節的空間，而是占有整個(gè)一簇。DOS視不同的存儲介質(zhì)（如軟盤(pán)，硬盤(pán)），不同容量的硬盤(pán)，簇的大小也不一樣。簇的大小可在稱(chēng)為磁盤(pán)參數塊（BPB）中獲取。簇的概念僅適用于數據區。
本點(diǎn)：
�。�1）“簇”是DOS進(jìn)行分配的最小單位。
�。�2）不同的存儲介質(zhì)，不同容量的硬盤(pán)，不同的DOS版本，簇的大小也不一樣。
�。�3）簇的概念僅適用于數據區。
3.扇區編號定義：絕對扇區與DOS扇區
由前面介紹可知，我們可以用柱面/磁頭/扇區來(lái)唯一定位磁盤(pán)上每一個(gè)區域，或是說(shuō)柱面/磁頭/扇區與磁盤(pán)上每一個(gè)扇區有一一對應關(guān)系，通常DOS將“柱面/磁頭/扇區”這樣表示法稱(chēng)為“絕對扇區”表示法。但DOS不能直接使用絕對扇區進(jìn)行磁盤(pán)上的信息管理，而是用所謂“相對扇區”或“DOS扇區”�！跋鄬ι葏^”只是一個(gè)數字，如柱面140，磁頭3，扇區4對應的相對扇區號為2757。該數字與絕對扇區“柱面/磁頭/扇區”具有一一對應關(guān)系。當使用相對扇區編號時(shí)，DOS是從柱面0，磁頭1，扇區1開(kāi)始（注：柱面0，磁頭0，扇區1沒(méi)有DOS扇區編號，DOS下不能訪(fǎng)問(wèn)，只能調用BIOS訪(fǎng)問(wèn)），第一個(gè)DOS扇區編號為0，該磁道上剩余的扇區編號為1到16（設每磁道17個(gè)扇區），然后是磁頭號為2，柱面為0的17個(gè)扇區，形成的DOS扇區號從17到33。直到該柱面的所有磁頭。然后再移到柱面1，磁頭1，扇區1繼續進(jìn)行DOS扇區的編號，即按扇區號，磁頭號，柱面號（磁道號）增長(cháng)的順序連續地分配DOS扇區號。
公式：記DH－－第一個(gè)DOS扇區的磁頭號
DC－－第一個(gè)DOS扇區的柱面號
DS－－第一個(gè)DOS扇區的扇區號
NS－－每磁道扇區數
NH－－磁盤(pán)總的磁頭數
則某扇區（柱面C，磁頭H，扇區S）的相對扇區號RS為：
RS＝NH×NS×（C－DC）＋NS×（H－DH）＋（S－DS）
若已知RS，DC，DH，DS，NS和NH則
S＝（RSMODNS）＋DS
H＝（（RSDIVNS）MODNH）＋DH
C＝（（RSDIVNS）DIVNH）＋DC
要點(diǎn)：（1）以柱面/磁頭/扇區表示的為絕對扇區又稱(chēng)物理磁盤(pán)地址
�。�2）單一數字表示的為相對扇區或DOS扇區，又稱(chēng)邏輯扇區號
�。�3）相對扇區與絕對扇區的轉換公式
4.DOS磁盤(pán)區域的劃分
格式化好的硬盤(pán)，整個(gè)磁盤(pán)按所記錄數據的作用不同可分為主引導記錄（MBR:Main Boot Record），Dos引導記錄（DBRosBoot Record），文件分配表（FAT:File Assign Table），根目錄（BD:Boot Directory）和數據區。前5個(gè)重要信息在磁盤(pán)的外磁道上，原因是外圈周長(cháng)總大于內圈周長(cháng)，也即外圈存儲密度要小些，可傷心性高些。
要點(diǎn)：
�。�1）整個(gè)硬盤(pán)可分為MBR，DBR，FAT，BD和數據區。
�。�2）MBR，DBR，FAT，和BD位于磁盤(pán)外道。
5.MBR
MBR位于硬盤(pán)第一個(gè)物理扇區（絕對扇區）柱面0，磁頭0，扇區1處。由于DOS是由柱面0，磁頭1，扇區1開(kāi)始，故MBR不屬于DOS扇區，DOS不能直接訪(fǎng)問(wèn)。MBR中包含硬盤(pán)的主引導程序和硬盤(pán)分區表。分區表有4個(gè)分區記錄區。記錄區就是記錄有關(guān)分區信息的一張表。它從主引導記錄偏移地址01BEH處連續存放，每個(gè)分區記錄區占16個(gè)字節。
分區表的格式
分區表項的偏移 意義 占用字節數
00 引導指示符 1B
01 分區引導記錄的磁頭號 1B
02 分區引導記錄的扇區和柱面號 2B
04 系統指示符 1B
05 分區結束磁頭號 1B
06 分區結束扇區和柱面號 2B
08 分區前面的扇區數 4B
0C 分區中總的扇區數 4B
4個(gè)分區中只能有1個(gè)活躍分區，即C盤(pán)。標志符是80H在分區表的第一個(gè)字節處。若是00H則表示非活躍分區。例如：
800101000B FE 3F 81 3F 00 00 00 C3 DD 1F 00
00 00 01 82 05 FE BF 0C 02 DE 1F 00 0E 90 61 00
00000000000000000000000000000000
00000000000000000000000000000000
要點(diǎn)：
�。�1）MBR位于硬盤(pán)第一個(gè)物理扇區柱面0，磁頭0，扇區1處。不屬于DOS扇區，
�。�2）主引導記錄分為硬盤(pán)的主引導程序和硬盤(pán)分區表。
6.DBR
DBR位于柱面0，磁頭1，扇區1，即邏輯扇區0。DBR分為兩部分：DOS引導程序和BPB（BIOS參數塊）。其中DOS引導程序完成DOS系統文件（IO.SYS，MSDOS.SYS）的定位與裝載，而B(niǎo)PB用來(lái)描述本DOS分區的磁盤(pán)信息，BPB位于DBR偏移0BH處，共13字節。它包含邏輯格式化時(shí)使用的參數，可供DOS計算磁盤(pán)上的文件分配表，目錄區和數據區的起始地址，BPB之后三個(gè)字提供物理格式化（低格）時(shí)采用的一些參數。引導程序或設備驅動(dòng)程序根據這些信息將磁盤(pán)邏輯地址（DOS扇區號）轉換成物理地址（絕對扇區號）。
BPB格式
序號 偏移地址 意義
1 03H－0AH OEM號
2 0BH－0CH 每扇區字節數
3 0DH 每簇扇區數
4 0EH－0FH 保留扇區數
5 10H FAT備份數
6 11H－12H 根目錄項數
7 13H－14H 磁盤(pán)總扇區數
8 15H 描述介質(zhì)
9 16H－17H 每FAT扇區數
10 18H－19H 每磁道扇區數
11 1AH－1BH 磁頭數
12 1CH－1FH 特殊隱含扇區數
13 20H－23H 總扇區數
14 24H－25H 物理驅動(dòng)器數
15 26H 擴展引導簽證
16 27H－2AH 卷系列號
17 2BH－35H 卷標號
18 36H－3DH 文件系統號
DOS引導記錄公式：
文件分配表≡保留扇區數
根目錄≡保留扇區數＋FAT的個(gè)數×每個(gè)FAT的扇區數
數據區≡根目錄邏輯扇區號＋（32×根目錄中目錄項數＋（每扇區字節數－1））DIV每扇區字節數
絕對扇區號≡邏輯扇區號＋隱含扇區數
扇區號≡（絕對扇區號MOD每磁道扇區數）＋1
磁頭號≡（絕對扇區號DIV每磁道扇區數）MOD磁頭數
磁道號≡（絕對扇區號DIV每磁道扇區數）DIV磁頭數
要點(diǎn)：
�。�1）DBR位于柱面0，磁頭1，扇區1，其邏輯扇區號為0
�。�2）DBR包含DOS引導程序和BPB。
�。�3）BPB十分重要，由此可算出邏輯地址與物理地址。
7.文件分配表
文件分配表是DOS文件組織結構的主要組成部分。我們知道DOS進(jìn)行分配的最基本單位是簇。文件分配表是反映硬盤(pán)上所有簇的'使用情況，通過(guò)查文件分配表可以得知任一簇的使用情況。DOS在給一個(gè)文件分配空間時(shí)總先掃描FAT，找到第一個(gè)可用簇，將該空間分配給文件，并將該簇的簇號填到目錄的相應段內。即形成了“簇號鏈”。FAT就是記錄文件簇號的一張表。FAT的頭兩個(gè)域為保留域，對FAT12來(lái)說(shuō)是3個(gè)字節，FAT來(lái)說(shuō)是4個(gè)字節。其中頭一個(gè)字節是用來(lái)描述介質(zhì)的，其余字節為FFH。介質(zhì)格式與BPB相同。
第一個(gè)字節的8位意義：
76543２１ ０
└─────-┘ │ │ │┌0非雙面
置1 │ │ └┤
│ │ └1雙面
│ │┌0不是8扇區
│ └┤
│ └1是8扇區
│┌0不是可換的
└┤
└1是可換的
FAT結構含義
FAT12 FAT16 意義
000H 0000H 可用
FF0H－FF6H FFF0H－FFF6H 保留
FF7H FFF7H 壞
FF8H－FFFH FFF8H－FFFFH 文件最后一個(gè)簇
×××H ××××H 文件下一個(gè)簇
對于FAT16，簇號×2作偏移地址，從FAT中取出一字即為FAT中的域。
邏輯扇區號＝數據區起始邏輯扇區號＋（簇號－2）×每簇扇區數
簇號＝（邏輯扇區號－數據區起始邏輯扇區號）DIV每簇扇區數＋2
要點(diǎn)：
�。�1）FAT反映硬盤(pán)上所有簇的使用情況，它記錄了文件在硬盤(pán)中具體位置（簇）。
�。�2）文件第一個(gè)簇號（在目錄表中）和FAT的該文件的簇號串起來(lái)形成文件的“簇號鏈”，恢復被破壞的文件就是根
據這條鏈。
�。�3）由簇號可算邏輯扇區號，反之，由邏輯扇區號也可以算出簇號，公式如上。
�。�4）FAT位于DBR之后，其DOS扇區號從1開(kāi)始。
8.文件目錄
文件目錄是DOS文件組織結構的又一重要組成部分。文件目錄分為兩類(lèi)：根目錄，子目錄。根目錄有一個(gè)，子目錄可以有多個(gè)。子目錄下還可以有子目錄，從而形成“樹(shù)狀”的文件目錄結構。子目錄其實(shí)是一種特殊的文件，DOS為目錄項分配32字節。目錄項分為三類(lèi)：文件，子目錄（其內容是許多目錄項），卷標（只能在根目錄，只有一個(gè)。目錄項中有文件（或子目錄，或卷標）的名字，擴展名，屬性，生成或最后修改日期，時(shí)間，開(kāi)始簇號，及文件大小。
目錄項的格式
字節偏移 意義 占字節數
00H 文件名 8B
08H 擴展名 3B
0BH 文件屬性 1B
0CH 保留 10B
16H 時(shí)間 2B
18H 日期 2B
1AH 開(kāi)始簇號 2B
1CH 文件長(cháng)度 4B
目錄項文件名區域中第一個(gè)字節還有特殊的意義：00H代表未使用
05H代表實(shí)際名為E5H
EBH代表此文件已被刪除
目錄項屬性區域的這個(gè)字節各個(gè)位的意義如下： ７６５４３２１０
未修修子卷系隱只
用改改目標統藏讀
標標錄屬屬屬
志志性性性
注意：WINDOWS的長(cháng)文件名使用了上表中所說(shuō)的“保留”這片區域。
要點(diǎn)：
�。�1）文件目錄是記錄所有文件，子目錄名，擴展名屬性，建立或刪除最后修改日期。文件開(kāi)始簇號及文件長(cháng)度的一張登記表.
�。�2）DOS中DIR列出的內容訓是根據文件目錄表得到的。
�。�3）文件起始簇號填在文件目錄中，其余簇都填在FAT中上一簇的位置上。
9.物理驅動(dòng)器與邏輯驅動(dòng)器
物理驅動(dòng)器指實(shí)際安裝的驅動(dòng)器。
邏輯驅動(dòng)器是對物理驅動(dòng)器格式化后產(chǎn)生的。
要點(diǎn)：同上。
硬盤(pán)基本知識 篇2
1、容量
容量可以說(shuō)是用戶(hù)對硬盤(pán)認識最多的一個(gè)技術(shù)指標，它的單位是兆字節(MB)或千兆字節(GB)。影響容量的兩個(gè)因素是單碟容量和碟片數量。顧名思義，單碟容量也就是在單張盤(pán)片上所能存儲的信息容量，單盤(pán)容量越大，實(shí)現大容量硬盤(pán)也就越容易，尋找數據所需的時(shí)間也相對減少�，F在硬盤(pán)的單碟容量是越做越大了，一般都可以達到20G。單碟容量提高的同時(shí)，硬盤(pán)的生產(chǎn)成本也隨之而降低，這也是為什么硬盤(pán)廠(chǎng)商競先推出高單碟容量的硬盤(pán)產(chǎn)品。你有時(shí)在檢測硬盤(pán)時(shí)可能會(huì )發(fā)現廠(chǎng)家標稱(chēng)的容量和電腦檢測的容量不一致，這是由于他們采用的換算單位不同，廠(chǎng)家多以1000進(jìn)制換算，即1MB=1000byte、1GB=1000MB，而電腦中多用1024進(jìn)制換算。
2、緩存
由于CPU運算與硬盤(pán)讀取之間存在著(zhù)巨大的速度差異，為了解決硬盤(pán)在讀寫(xiě)數據時(shí)CPU的'等待問(wèn)題，在硬盤(pán)上設置適當的高速緩存，以解決二者之間速度不匹配的問(wèn)題。硬盤(pán)緩存與主板上的高速緩存作用一樣，是為了提高硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度，當然緩存越大越好。目前IDE硬盤(pán)的高速緩存一般為512K到2M之間，主流硬盤(pán)的數據緩存應該為2MB，而在SCSI硬盤(pán)中最高的數據緩存現在已經(jīng)達到了16MB。
3、轉速
轉速指的是硬盤(pán)內電機主軸的轉動(dòng)速度，其單位是RPM(RoundPerMinute，每分鐘旋轉次數)，它直接影響硬盤(pán)的數據傳輸率，理論上轉速越快數據傳輸率就越大。目前IDE接口的硬盤(pán)主軸轉速一般為5400和7200rpm(轉/秒)，主流硬盤(pán)的轉速為7200RPM，至于SCSI硬盤(pán)的主軸轉速一般可達7200到10,000rpm，而最高轉速的SCSI硬盤(pán)轉速高達15,000rpm。更快的轉速可以使盤(pán)片轉動(dòng)一周的時(shí)間減短，使平均等待時(shí)間和平均尋道時(shí)間減短，更快地尋找所需要的數據，同時(shí)硬盤(pán)的內部傳輸率也會(huì )提高，使讀寫(xiě)速度加快。
4、平均尋道時(shí)間
這個(gè)指標指磁頭從得到指令到尋找到數據所在磁道的時(shí)間，它是代表硬盤(pán)讀取數據的能力，單位為毫秒，需要注意的是它與平均訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間有差別。平均尋道時(shí)間越小越好，現在選購硬盤(pán)時(shí)應該選擇平均尋道時(shí)間低于9毫秒的產(chǎn)品。
5、內部數據傳輸率
內部數據傳輸率是磁頭到硬盤(pán)的高速緩存之間的數據傳輸速度，這可以說(shuō)是影響硬盤(pán)整體性能的關(guān)鍵，一般取決于硬盤(pán)的盤(pán)片轉速和盤(pán)片數據線(xiàn)密度。在這項指標中常常使用Mb/S或Mbps為單位，這是兆位/秒的意思，如果需要轉換成MB/S(兆字節/秒)，就必須將Mbps數據除以8。例如有的硬盤(pán)給出最大內部數據傳輸率為131Mbps，但如果按MB/S計算就只有16.37MB/s。目前市場(chǎng)上主流硬盤(pán)的最大內部數據傳輸率為30MB/s到45MB/s，這比UltraATA/100的100MB/s低多了，由此可以看出目前硬盤(pán)作為電腦的瓶頸，其病根還在于硬盤(pán)的內部數據傳輸率上。
6、外部數據傳輸率
這是指從硬盤(pán)緩沖區讀取數據的速率。它與硬盤(pán)的接口類(lèi)型是直接掛勾的，因此在廣告或硬盤(pán)特性表中常以數據接口速率代替，單位為MB/S。目前主流硬盤(pán)普通采用的是UltraATA/66，它的最大外部數據率即為66.7MB/s。而采用目前最新的UltraATA/100接口最大外部數據傳輸率即可達到100MB/s。對于SCSI硬盤(pán)，若采用最新的Ultra160/mSCSI接口標準，其數據傳輸率可達160MB/s，FibraChannel的最大外部數據傳輸將可達200MB/s！
7、MTBF(連續無(wú)故障時(shí)間)
它指硬盤(pán)從開(kāi)始運行到出現故障的最長(cháng)時(shí)間，單位是小時(shí)。一般硬盤(pán)的MTBF至少在30000或40000小時(shí)。這項指標在一般的產(chǎn)品廣告或常見(jiàn)的技術(shù)特性表中并不提供，需要時(shí)可專(zhuān)門(mén)上網(wǎng)到具體生產(chǎn)該款硬盤(pán)的公司網(wǎng)址中查詢(xún)。
除了以上提到的這些技術(shù)指標外，影響硬盤(pán)性能的還有道至道時(shí)間、硬盤(pán)表面溫度等因素，這里就不再贅述了。說(shuō)實(shí)話(huà)，一口氣說(shuō)這么多專(zhuān)業(yè)性挺強的內容，不但你可能難以消化，就是我的頭都大了。但之所以堅持講這些術(shù)語(yǔ)常識，只是希望你對硬盤(pán)能有一個(gè)初步的了解，不至于對硬盤(pán)一無(wú)所知。
硬盤(pán)基本知識 篇3
NVMe協(xié)議的定義及特點(diǎn)
NVMe，全稱(chēng)為Non-Volatile Memory Express，我們拆開(kāi)翻譯，Non-Volatile Memory中文譯名為非易失性存儲器。
熟悉存儲的都知道，存儲器根據斷電后是否能夠存儲數據為標準分為易失性和非易失性，我們常用的優(yōu)盤(pán)、閃存卡等存儲產(chǎn)品就是非易失性存儲器，當然固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品也是非易失性存儲器了。而此處的Express，就是類(lèi)似于PCIe中那個(gè)e，指的是通道或是規范。
NVMe協(xié)議和SATA的'異同
SATA是一種物理接口類(lèi)型，執行的AHCI協(xié)議標準，是目前最為廉價(jià)和常見(jiàn)的固態(tài)硬盤(pán)接口，缺點(diǎn)便是有著(zhù)6Gbps的極限讀寫(xiě)限制，無(wú)法滿(mǎn)足專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域對于無(wú)延時(shí)、極致讀寫(xiě)的要求。
PCIe實(shí)際上是通道協(xié)議，在物理表現上就是主板上那些PCIe接口。這些通道協(xié)議，屬于總線(xiàn)協(xié)議，能夠直接連接CPU，因而幾乎沒(méi)有延時(shí)，成為NVMe標準的絕佳伴侶。而在A(yíng)HCI標準時(shí)代，受制于協(xié)議，幾乎無(wú)法發(fā)揮PCIe的實(shí)際性能，同時(shí)根據傳輸速度不同，PCIe還可分為X2/X4/X8
M.2接口在固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域，更多的是用于和傳統的SATA固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行區分的名詞。根據主控執行的協(xié)議不同，M.2接口又分為NVMe協(xié)議以及AHCI協(xié)議的固態(tài)硬盤(pán)。根據協(xié)議不同，M.2固態(tài)硬盤(pán)在性能上也會(huì )有著(zhù)相當的差異。
總結：支持nvme協(xié)議的固態(tài)硬盤(pán)雖然性能好，但是價(jià)格也貴，在接口一樣的情況下，主板一定要支持nvme協(xié)議!
硬盤(pán)基本知識 篇4
固態(tài)硬盤(pán)出現已經(jīng)有很長(cháng)一段時(shí)間了，很多朋友也已經(jīng)用上了固態(tài)硬盤(pán)。不過(guò)鑒于目前的固態(tài)硬盤(pán)容量較小而價(jià)格太高，我們主流裝機依然都是選購傳統的機械硬盤(pán)，而固態(tài)硬盤(pán)則多數出現在高端配置裝機中。
不過(guò)隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)逐漸成為主流也是趨勢。下面我們來(lái)介紹下固態(tài)硬盤(pán)的好處以及固態(tài)硬盤(pán)和普通硬盤(pán)的區別。
固態(tài)硬盤(pán)的好處：
說(shuō)起固態(tài)硬盤(pán)的好處，首沖其當的就是速度比普通硬盤(pán)速度快，通過(guò)測試我們可以發(fā)現固態(tài)硬盤(pán)的讀取速度是普通硬盤(pán)的近2倍。另外固態(tài)硬盤(pán)更穩定沒(méi)有噪音等。
固態(tài)硬盤(pán)和普通硬盤(pán)的區別：
1. 啟動(dòng)快，沒(méi)有電機加速旋轉的過(guò)程。
2. 不用磁頭，快速隨機讀取，讀延遲極小。根據相關(guān)測試：兩臺電腦在同樣配置的電腦下，搭載固態(tài)硬盤(pán)的筆記本從開(kāi)機到出現桌面一共只用了18秒，而搭載傳統硬盤(pán)的筆記本總共用了31秒，兩者幾乎有將近一半的差距。
3. 相對固定的讀取時(shí)間。由于尋址時(shí)間與數據存儲位置無(wú)關(guān)，因此磁盤(pán)碎片不會(huì )影響讀取時(shí)間。
4. 基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)寫(xiě)入速度極快。
5. 無(wú)噪音。因為沒(méi)有機械馬達和風(fēng)扇，工作時(shí)噪音值為0分貝。某些高端或大容量產(chǎn)品裝有風(fēng)扇，因此仍會(huì )產(chǎn)生噪音。
6. 低容量的基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)在工作狀態(tài)下能耗和發(fā)熱量較低，但高端或大容量產(chǎn)品能耗會(huì )較高。
7. 內部不存在任何機械活動(dòng)部件，不會(huì )發(fā)生機械故障，也不怕碰撞、沖擊、振動(dòng)。這樣即使在高速移動(dòng)甚至伴隨翻轉傾斜的情況下也不會(huì )影響到正常使用，而且在筆記本電腦發(fā)生意外掉落或與硬物碰撞時(shí)能夠將數據丟失的可能性降到最小。
8. 工作溫度范圍更大。典型的硬盤(pán)驅動(dòng)器只能在5到55攝氏度范圍內工作。而大多數固態(tài)硬盤(pán)可在-10~70攝氏度工作，一些工業(yè)級的固態(tài)硬盤(pán)還可在-40~85攝氏度，甚至更大的'溫度范圍下工作。
9. 低容量的固態(tài)硬盤(pán)比同容量硬盤(pán)體積小、重量輕。但這一優(yōu)勢隨容量增大而逐漸減弱。直至256GB，固態(tài)硬盤(pán)仍比相同容量的普通硬盤(pán)輕。
固態(tài)硬盤(pán)目前最大的不足是價(jià)格昂貴，相對普通硬盤(pán)，價(jià)格方面沒(méi)有任何優(yōu)勢，用戶(hù)在使用的時(shí)候其實(shí)感覺(jué)應用差距也不明顯，另外固態(tài)硬盤(pán)容量小，無(wú)法滿(mǎn)足大存儲數據需求。不過(guò)隨著(zhù)技術(shù)的改進(jìn)，未來(lái)固態(tài)硬盤(pán)前景還是必然趨勢的。
硬盤(pán)基本知識 篇5
固態(tài)硬盤(pán)參數1閃存顆粒
固態(tài)硬盤(pán)是通過(guò)NAND 閃存顆粒(U盤(pán)都會(huì )用到的)來(lái)存儲數據，因此，閃存顆粒尤為重要。其是由內部若干個(gè)儲存電荷的Cell(存儲單元)組合而成，Cell的種類(lèi)決定了閃存顆粒的種類(lèi);根據Cell的種類(lèi)，可分為SLC、MLC、TLC顆粒。
(不同種類(lèi)顆粒內的Cell示意圖，0與1代表存儲的數據)
SLC: 一個(gè)存儲單元存1bit的數據
MLC：一個(gè)存儲單元存2bit的數據
TLC： 一個(gè)存儲單元存3bit的數據
在一個(gè)存儲單元里面要表示多種數據就要采用不同的電壓來(lái)區分，因此對于較高的電壓，增壓的過(guò)程與低電壓相比需要更長(cháng)的時(shí)間來(lái)完成，因此TLC訪(fǎng)問(wèn)數據時(shí)間最長(cháng)，其次為MLC，最快為SLC。
閃存顆粒速度排行：SLC>MLC>TLC
說(shuō)完閃存顆粒的速度，就不得不提一下閃存顆粒另外一大指標-----壽命。SSD的壽命很大一部分是取決于閃存顆粒的類(lèi)型，SSD的壽命指標為P/E次數(完全擦寫(xiě))，1次P/E指硬盤(pán)完全寫(xiě)滿(mǎn)一次并且擦除一次(由于工作原理不同，普通HDD硬盤(pán)不存在P/E限制)。SLC閃存多用于企業(yè)級存儲，其擦寫(xiě)次數能達10萬(wàn)次，穩定性最好;目前25nm的MLC顆粒P/E 3000~5000次，TLC顆粒的P/E也有1000次以上，1000次P/E的概念:舉個(gè)栗子對于100G的SSD而言，每天寫(xiě)滿(mǎn)100G，能用1000天，大概能用三年的樣子。專(zhuān)注TLC三萬(wàn)年的三(喪)星，旗下的TLC顆粒的840evo 120G網(wǎng)上測試的極限擦寫(xiě)次數竟達3409P/E，寫(xiě)入406.68 TB ，可見(jiàn)TLC的壽命也不容小覷。
閃存顆粒壽命排行：SLC>MLC>TLC
近幾年主控芯片的發(fā)展，致使廉價(jià)的TLC也開(kāi)始步入固態(tài)硬盤(pán)的市場(chǎng)，更多低價(jià)格的TLC固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)始普及，不過(guò)TLC的本身的缺陷仍然不容忽視，由于TLC單個(gè)存儲單元存在8種電壓狀態(tài)，彼此之間容易出錯，所以就不能不校驗了，速度就由此拖慢，這也與市面上TLC的SSD用舊出現掉速的情況有關(guān)。TLC閃存的穩定性也是要考量的一大因素，沒(méi)有強大的主控支持，也救不了TLC的固態(tài)硬盤(pán)，要挑一些具有相對成熟的主控芯片的產(chǎn)品。
閃存顆粒價(jià)格排行：SLC>MLC>TLC
小結：SLC閃存除企業(yè)與某些土豪外，實(shí)在不是我們尋常人的玩具。而MLC以其適中的壽命與性能，成為大部分的電腦發(fā)燒友、部分設計師、游戲玩家之必備(買(mǎi)買(mǎi)買(mǎi))，將大型單機游戲放進(jìn)去更有強大讀盤(pán)buff(增益效果)。而在日常使用中，不強調性能，僅是日常辦公需要，看看開(kāi)機秒數的，或者預算略緊的，不妨考慮下TLC，畢竟老話(huà)說(shuō)得好：再慢的SSD也比hdd跑得快。
固態(tài)硬盤(pán)參數2主控芯片
主控就如cpu那樣，在SSD中負責調度，控制和管理SSD，是SSD的數據中樞，不僅如此主控還負責ECC糾錯、耗損平衡、壞塊映射、讀寫(xiě)緩存、垃圾回收以及加密等一系列的功能。
SSD市面上基本有這幾家主控廠(chǎng)商：Marvell，Samsung，JMF，慧榮SMI，Indilinx，SandForce，群聯(lián)Phison。
Marvell：中高端產(chǎn)品比較容易見(jiàn)到它的身影，其主控穩定，跑分不含水分，可謂中流砥柱，在主控中擔當大哥的角色。多數中端MLC產(chǎn)品采用的是Marvell的主控，諸如浦科特，英睿達，鎂光。要挑選中高端的SSD，該主控也是不錯的選擇。
Samsung：三星自家的主控，只用在自家的SSD產(chǎn)品上，配合自家的3D V-NAND閃存，產(chǎn)品的口碑不錯。
JMF：主打低端市場(chǎng)，較為低端的主控，特點(diǎn)為性能不佳但便宜，采用此主控的SSD有影馳戰將系列等，需求不高而又預算不多者可以考慮。
慧榮SMI : 同上，中低端產(chǎn)品較多，相對JMF而言好那么一丟丟，感覺(jué)略為中庸吧。
Indilinx：早些年之前，ocz(饑餓鯊)收購了indilinx，研發(fā)了自家的獨立主控barefoot(目前出到第三代)，旗下的Vertex系列和Vector系列均采用該主控，饑餓鯊的主控也是杠桿的。
SandForce：與marvell相比稍差一些，自家獨特的壓縮算法，對持續讀寫(xiě)(持續讀寫(xiě)可不是性能的重要指標，后面會(huì )提到)有獨特加成，跑分或許有些貓膩，不過(guò)其壓縮算法也提升了SSD的壽命。Intel，東芝，金士頓等都有采用過(guò)該家的主控。
群聯(lián)Phison：同smi主打中低端市場(chǎng)，算是穩定，但是同樣的比較中庸。
小結：此處只提供一些主控的口碑作參考，畢竟SSD單看主控還不行，還要配合閃存芯片，注重SSD性能的朋友們買(mǎi)SSD時(shí)就要多多留意下主控了，若是日常應用不高的朋友們看看就好oo
固態(tài)硬盤(pán)參數3接口
SSD的接口分為四種，即SATA接口，mSATA接口，M.2接口(NGFF)以及PCI-E接口。
SATA接口：SATA接口是當下最常見(jiàn)的硬盤(pán)形態(tài)，外觀(guān)尺寸基本與筆記本2.5寸普通硬盤(pán)(HDD)相當。此類(lèi)SSD絕大部分采用了SATA 3.0接口，其理論最大傳輸速度為600MB/s;隨著(zhù)技術(shù)發(fā)展，SATA接口正日益成為阻止SSD變得更快的關(guān)鍵因素。但其具有升級方便、價(jià)格相對較低等特點(diǎn)，適合臺式機及舊筆記本升級、更換之用。
普通SATA接口的SSD
mSATA接口：mSATA接口的出現，是專(zhuān)門(mén)適應SSD小型化的需要，在SSD開(kāi)始普及的`前幾年，扮演了關(guān)鍵的角色。由于從普通SATA改進(jìn)而來(lái)，其接口速度與SATA相當;但尺寸則要小許多，以便于安裝在筆記本狹小的空間當中，同時(shí)不會(huì )影響既有SATA硬盤(pán)。在接口帶寬也成為了瓶頸之時(shí)，其逐漸被M.2接口取代。
mSATA接口的SSD
M.2接口 : M.2接口(也稱(chēng)NGFF)作為mSATA的繼承者，擁有著(zhù)更小巧、更快速的特點(diǎn)。M.2接口分為Socket 2和Socket 3兩類(lèi)形態(tài)，Socket 3接口使用PCI-E x4通道，理論帶寬可達4GB/s，如同火箭。Socket 2接口可使用SATA和PCI-E x2通道，使用SATA通道的同普通SATA硬盤(pán)相似，速度上限為600MB/s;而PCI-E x2最大的讀取速度可以達到700MB/s，寫(xiě)入也能達到550MB/s。
價(jià)格方面，M.2整體成本比普通SATA硬盤(pán)稍高，尤以Socket 3產(chǎn)品最為高貴(如三星950PRO);其他產(chǎn)品相同容量下的價(jià)格也比SATA形態(tài)者多出100~200元。不過(guò)現今新型筆記本中，不少都配備了M.2接口，這樣可以在不影響原有HDD硬盤(pán)的情況下進(jìn)行升級，還是值得的。
【注意①】并不是有M.2接口的主板都支持所有M.2的SSD，還要看主板的M.2支持哪一種通道(SATA通道or PCI-E 通道)，通常筆記本支持SATA通道較多，臺式機所用M.2支持PCI-E通道較多，也有的主板同時(shí)支持兩種通道。所以在購買(mǎi)前，要查清楚自己電腦的M.2接口支持哪一種通道。
主板上的m.2接口
【注意②】M.2接口SSD具有不同尺寸，長(cháng)度有30mm、42mm、60mm、80mm、110mm 共五種(寬度固定)，網(wǎng)上所說(shuō)的2242即寬度22mm長(cháng)度42mm的意思。通常筆記本會(huì )規定M.2 SSD最大支持的長(cháng)度，這是由主板上固定的螺絲位置決定的(臺式機主板有的話(huà)一般不受限制)，因此購買(mǎi)M.2 SSD也要考慮長(cháng)度哦
PCI-E接口:
PCI-E接口SSD僅能在桌面平臺使用，其基于PCI-E 4x通道，充裕的帶寬使其性能得以充分發(fā)揮。以Intel 750系列為例，其連續讀取速度達2400MB/s，連續寫(xiě)入1200Mb/s(相當于SATA形態(tài)SSD的四倍，甚至更多)。只有大中型企業(yè)以及一部分土豪可以承受。
硬盤(pán)基本知識 篇6
一、固態(tài)硬盤(pán)簡(jiǎn)介
固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Disk)都是由主控芯片和閃存芯片組成，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤(pán)，其接口規范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤(pán)的完全相同(WwW.PC841.CoM)，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤(pán)一致。存儲單元負責存儲數據，控制單元負責讀取、寫(xiě)入數據。擁有速度快，耐用防震，無(wú)噪音，重量輕等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應用于軍事、車(chē)載、工控、視頻監控、網(wǎng)絡(luò )監控、網(wǎng)絡(luò )終端、電力、醫療、航空、導航設備等領(lǐng)域。
(一)SSD固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)點(diǎn)：
第一，SSD不需要機械結構，完全的半導體化，不存在數據查找時(shí)間、延遲時(shí)間和磁盤(pán)尋道時(shí)間，數據存取速度快，讀取數據的能力在400M/s以上，最高的目前可達500M/s以上。
第二，SSD全部采用閃存芯片，經(jīng)久耐用，防震抗摔，即使發(fā)生與硬物碰撞，數據丟失的可能性也能夠降到最小。
第三，得益于無(wú)機械部件及FLASH閃存芯片，SSD沒(méi)有任何噪音，功耗低。
第四，質(zhì)量輕，比常規1.8英寸硬盤(pán)重量輕20-30克，使得便攜設備搭載多塊SSD成為可能。同時(shí)因其完全半導體化，無(wú)結構限制，可根據實(shí)際情況設計成各種不同接口、形狀的特殊電子硬盤(pán)。
(二)SSD的缺點(diǎn)：
第一，固態(tài)硬盤(pán)成本高 目前SSD成本已經(jīng)大幅下降。128G SSD已經(jīng)在1000元級別。但是相對機械硬盤(pán)，價(jià)格還是很高的~而作為筆記本廠(chǎng)商，在將固態(tài)硬盤(pán)當作可選配件后，升級的費用更是要遠高于實(shí)際成本，這也就導致了配備傳統硬盤(pán)筆記本和固態(tài)硬盤(pán)筆記本之間千元的價(jià)差。
第二，存儲容量有待提高 如今傳統機械式硬盤(pán)憑借最新的垂直記錄技術(shù)已經(jīng)向2TB級別邁進(jìn)，而固態(tài)硬盤(pán)的最高紀錄仍停留幾百GB(PQI推出的2.5英寸SSD產(chǎn)品)左右，由于閃存成本一直居高不下，很少有廠(chǎng)商涉及這種高容量的SSD產(chǎn)品的研發(fā)，即使有相關(guān)的產(chǎn)品出現，離量產(chǎn)還有很長(cháng)很長(cháng)的路，現階段可以買(mǎi)到的固態(tài)硬盤(pán)最實(shí)際的存儲容量只有最高幾百GB。但是價(jià)格高昂。
固態(tài)硬盤(pán)壽命計算公式
二、掃清誤區
1、固態(tài)硬盤(pán)速度為什么不是一直在最高速度?
答： 現在的固態(tài)硬盤(pán)廠(chǎng)商大多會(huì )宣稱(chēng)自家的固態(tài)硬盤(pán)持續讀寫(xiě)速度超過(guò)了500MB/s云云，這相對機械硬盤(pán)的100MB/s的速度著(zhù)實(shí)是相當可觀(guān)的。事實(shí)上幾乎沒(méi)有任何程序的啟動(dòng)和執行過(guò)程是連續讀取的，實(shí)際使用中只有進(jìn)行非同盤(pán)的復制粘貼操作時(shí)，數據的源盤(pán)會(huì )進(jìn)行持續讀的工作。也就是說(shuō)把一個(gè)文件從D盤(pán)復制粘貼到E盤(pán)時(shí)，D盤(pán)就在進(jìn)行持續讀寫(xiě)的工作。
2、 要是我的硬盤(pán)頻繁讀寫(xiě)，那么固態(tài)硬盤(pán)的使用壽命是不是會(huì )不夠用，很快報廢?
答：在一些固態(tài)硬盤(pán)上大家會(huì )見(jiàn)到“芯片標明讀寫(xiě)只有10—100萬(wàn)次的讀寫(xiě)”。那么如果我應用到數據庫之類(lèi)的，或許讀寫(xiě)比較頻繁的數據、不是很快就壞了嗎，那我們買(mǎi)一塊固態(tài)硬盤(pán)不是很不劃算”?壽命當然不是像那樣,如果不安全的話(huà)現在不會(huì )應用到航空航天、車(chē)載等特殊領(lǐng)域了及惡劣的環(huán)境下了!
固態(tài)硬盤(pán)在原理構造上基本上和我們應用普通機械硬盤(pán)有很多相似的地方，比如模擬扇區、模擬磁道等。在固態(tài)硬盤(pán)內部，最核心的部分就算控制器了，它是整個(gè)固態(tài)硬盤(pán)的核心，里面包括很多構架，比如讀寫(xiě)算法、接口定義等。主要影響壽命的就是讀寫(xiě)次數，在固態(tài)硬盤(pán)的算法定義中，修改一次才算一次真正讀寫(xiě)。
固態(tài)硬盤(pán)閃存具有擦寫(xiě)次數限制的問(wèn)題，這也是許多人詬病其壽命短的所在。閃存完全擦寫(xiě)一次叫做1次P/E，因此閃存的`壽命就以P/E作單位。34nm的閃存芯片壽命約是5000次P/E，而25nm的壽命約是3000次P/E。是不是看上去壽命更短了?理論上是這樣沒(méi)錯，但隨著(zhù)SSD固件算法的提升，新款SSD都能提供更少的不必要寫(xiě)入量。再來(lái)一個(gè)具體的例子，一款120G的固態(tài)硬盤(pán)，要寫(xiě)入120G的文件才算做一次P/E。普通用戶(hù)夸正常使用，即使每天寫(xiě)入50G，平均2天完成一次P/E，那么一年就有180次P/E。大家可以自行計算3000個(gè)P/E能用幾年，相信到那時(shí)候，固態(tài)硬盤(pán)早就被你換成別的什么新奇玩意了。
目前BladeCenter HS21 XM刀片服務(wù)器當中提供基于閃存技術(shù)的的固態(tài)硬盤(pán)(Solid State drives，SSD)，與傳統的機械硬盤(pán)相比，固態(tài)硬盤(pán)更快、更可靠、有更好的能源效率、發(fā)熱更少并且更安靜等優(yōu)點(diǎn)，而且可以在刀片服務(wù)器上的固態(tài)硬盤(pán)可以運行操作系統以及其他任何應用，同時(shí)也說(shuō)明了壽命已經(jīng)已經(jīng)不在是我們關(guān)注的問(wèn)題。
隨著(zhù)Flash芯片的擦寫(xiě)次數不斷提高，壽命也不斷的在提高，根據目前一些應用情況來(lái)看，一般一塊盤(pán)的壽命可以達到6年以上，而且控制器的算法也在不斷的完善，壽命也從另一個(gè)方面變相提高，相信未來(lái)壽命還會(huì )有很大的提升。
三、SSD固態(tài)硬盤(pán)優(yōu)化
1、刷官方最新固件
固件不單直接影響SSD的性能、穩定性，也會(huì )影響到SSD的壽命。優(yōu)秀的固件包含先進(jìn)的算法能減少固態(tài)硬盤(pán)不必要的寫(xiě)入，從而減少閃存芯片的磨損，維持性能的同時(shí)也延長(cháng)了固態(tài)硬盤(pán)的壽命。因此及時(shí)更新官方發(fā)布的最新固件顯得十分重要。
SSD固態(tài)硬盤(pán)優(yōu)化
固態(tài)硬盤(pán)固件更新辦法一般分兩種：Windows環(huán)境下使用軟件更新、建立啟動(dòng)盤(pán)(u盤(pán)、光盤(pán))更新。OCZ等廠(chǎng)商采用的軟件更新方式，Crucial 英睿達 m4則是采用了后者。更新過(guò)程大致是將主板BIOS的啟動(dòng)順序改為光驅優(yōu)先或者U盤(pán)優(yōu)先，然后進(jìn)入引導界面，根據提示來(lái)操作，很簡(jiǎn)單。
2、開(kāi)啟TRIM指令
固態(tài)硬盤(pán)會(huì )越用越慢，這和固態(tài)硬盤(pán)的工作原理有很大的關(guān)系。固態(tài)硬盤(pán)是新的，其中的NAND閃存已經(jīng)預先擦除干凈，因此數據可以直接寫(xiě)入閃存，而無(wú)需完成數據清除這一步，這時(shí)數據的寫(xiě)入非�？�。隨著(zhù)時(shí)間的推移，SSD中從未使用的存儲空間越來(lái)越少，很多時(shí)候必須先擦除閃存中的數據然后再寫(xiě)入，因此其性能就會(huì )明顯下降。
Windows 7系統上，對支持Trim指令的SSD啟動(dòng)Trim命令后，能讓操作系統在刪除某個(gè)文件或者格式化后告訴SSD主控這個(gè)數據塊不再需要了。當某些文件被刪除或者格式化了整個(gè)分區，操作系統把Trim指令和在操作中更新的邏輯地址(Logincal Block Address)一起發(fā)給SSD主控(其中包含了無(wú)效數據地址)，這樣在之后的垃圾回收(Garbage collection)操作中，無(wú)效數據就能被清空了，減少了寫(xiě)入放大同時(shí)也提升了性能。
Windows 7默認狀態(tài)下Trim指令是開(kāi)啟的，如果想查詢(xún)目前的Trim指令狀態(tài)，我們可以在管理員權限下，進(jìn)入命令提示符界面，輸入“fsutil behavior QUERY DisableDeleteNotify”，之后會(huì )得到相關(guān)查詢(xún)狀態(tài)的反饋。在這里，提示為“DisableDeleteNotify = 0”即Trim指令已啟用;提示為“DisableDeleteNotify = 1”即為T(mén)rim指令未啟用。另外開(kāi)啟主板BIOS內的AHCI模式也很重要。因為AHCI中的原生命令隊列特性(NCQ)可以?xún)?yōu)化完用戶(hù)發(fā)送指令的順序，從而降低機械負荷達到提升性能的目的。
查看設備管理器-IDE ATA ATAPI控制器,如果開(kāi)啟了AHCI，控制器后面會(huì )有提示,如果沒(méi)有就是沒(méi)開(kāi)。
3、安全擦除
ATA安全擦除命令可以用來(lái)清除在磁盤(pán)上的所有用戶(hù)數據，這個(gè)指令會(huì )讓SSD回到出廠(chǎng)性能(最優(yōu)性能，最少寫(xiě)入放大)。但效果只是暫時(shí)的，因為之后的使用，寫(xiě)入放大又會(huì )慢慢增加回來(lái)，最后還是會(huì )回到穩定態(tài)。不過(guò)固態(tài)硬盤(pán)使用一段時(shí)間，里面文件雜亂無(wú)章，性能下降，這時(shí)做一次安全擦除還很有必要的(反正也要重裝系統)。
現在有許多軟件都能提供ATA安全擦除指令來(lái)重置磁盤(pán)WwW.PC841.CoM，最著(zhù)名的是HDDErase。不過(guò)對SSD來(lái)說(shuō)，重置一次也相當于完成了一次P/E，所以這里不建議大家頻繁的做擦除優(yōu)化。操作過(guò)程大致也是將主板BIOS的啟動(dòng)順序改為光驅優(yōu)先或者U盤(pán)優(yōu)先，然后插入存好軟件的啟動(dòng)設備，進(jìn)入引導界面，根據提示來(lái)操作。
另外英特爾固態(tài)硬盤(pán)工具箱(Intel SSD Toolbox)是英特爾官方推出的Intel SSD固態(tài)硬盤(pán)最新的管理工具，也包含的優(yōu)化功能，原理類(lèi)似，但因為是軟件所以操作起來(lái)比較方便。
四、SSD選購
1 、看主控芯片
目前市面上占有率最高的SandForce二代主控，由于它提供了一套成熟的主控方案。硬盤(pán)廠(chǎng)商只需買(mǎi)來(lái)方案，在加入自己的PCB設計、閃存搭配、固件算法就能制造出固態(tài)硬盤(pán)。有點(diǎn)類(lèi)似于谷歌的Android開(kāi)源模式，不過(guò)其弊病也是相同的，那就是同樣的主控要兼容各種不同的芯片、固件，所以各大SandForce主控的硬盤(pán)產(chǎn)品性能也是參差不齊的。另外還有Marvell主控和Intel主控，只是產(chǎn)品較少，但性能都相當給力。
2 、看閃存顆粒
前固態(tài)硬盤(pán)采用的閃存顆粒有著(zhù)25/34nm制程、MLC/SLC、同步/異步、ONFI/Toggle Mode等等不同WwW.PC841.CoM。不同閃存顆粒數據傳輸率有著(zhù)很大的差異，異步ONFI顆粒只有50MT/s(Intel或者M(jìn)icron早期顆粒)，同步ONFI 2.x顆粒則可以達到133MT/s ~ 200MT/s (Intel或者M(jìn)icron顆粒)，異步Toggly DDR 1.0顆粒也可以達到133MT/s ~ 200MT/s (TOSHIBA或者Samsung顆粒)。
硬盤(pán)基本知識 篇7
一、基于閃存類(lèi)：
基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)(IDEFLASHDISK、SerialATAFlashDisk)：采用FLASH芯片作為存儲介質(zhì)，這也是通常所說(shuō)的SSD。它的外觀(guān)可以被制作成多種模樣，例如：筆記本硬盤(pán)、微硬盤(pán)、存儲卡、U盤(pán)等樣式。這種SSD固態(tài)硬盤(pán)最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng)，而且數據保護不受電源控制，能適應于各種環(huán)境，適合于個(gè)人用戶(hù)使用。
一般它擦寫(xiě)次數普遍為3000次左右，以常用的64G為例，在SSD的平衡寫(xiě)入機理下，可擦寫(xiě)的總數據量為64GX3000=192000G，假如你是個(gè)變態(tài)視頻王每天喜歡下載視頻看完就刪每天下載100G的話(huà)，可用天數為192000/100=1920，也就是1920/366=5.25年。如果你只是普通用戶(hù)每天寫(xiě)入的`數據遠低于10G，就拿10G來(lái)算，可以不間斷用52.5年，再如果你用的是128G的SSD的話(huà)，可以不間斷用104年!這什么概念?它像普通硬盤(pán)HDD一樣，理論上可以無(wú)限讀寫(xiě)，
二、基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)
基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)：采用DRAM作為存儲介質(zhì)，目前應用范圍較窄。它仿效傳統硬盤(pán)的設計、可被絕大部分操作系統的文件系統工具進(jìn)行卷設置和管理，并提供工業(yè)標準的PCI和FC接口用于連接主機或者服務(wù)器。應用方式可分為SSD硬盤(pán)和SSD硬盤(pán)陣列兩種。它是一種高性能的存儲器，而且使用壽命很長(cháng)，美中不足的是需要獨立電源來(lái)保護數據安全。
三、基于DRAM類(lèi)：
基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)：采用DRAM作為存儲介質(zhì)，應用范圍較窄。它仿效傳統硬盤(pán)的設計，可被絕大部分操作系統的文件系統工具進(jìn)行卷設置和管理，并提供工業(yè)標準的PCI和FC接口用于連接主機或者服務(wù)器。應用方式可分為SSD硬盤(pán)和SSD硬盤(pán)陣列兩種。它是一種高性能的存儲器，而且使用壽命很長(cháng)，美中不足的是需要獨立電源來(lái)保護數據安全。DRAM固態(tài)硬盤(pán)屬于比較非主流的設備。
硬盤(pán)基本知識 篇8
1. 硬盤(pán)出現異響；
2.系統無(wú)法正常啟動(dòng)或是硬盤(pán)報錯，例如“Sector not found”；
3.讀寫(xiě)數據或是運行軟件的`時(shí)候，硬盤(pán)報讀盤(pán)錯誤，例如“read disk error”；
4.電腦突然藍屏；
5.無(wú)法完成格式化操作；
6.FDISK操作無(wú)法完成；
7.電腦運行速度很慢或者很卡
硬盤(pán)出現壞道的原因很多，例如，硬盤(pán)本身質(zhì)量問(wèn)題、使用中維護不當、不正確操作、使用中突然斷電、撞擊等。當硬盤(pán)出現壞道后，應該立刻備份重要數據，然后對壞道進(jìn)行修復。由于壞道修復操作會(huì )破壞位于壞道及壞道附近的數據，所以應先備份重要數據。
硬盤(pán)基本知識 篇9
潤滑層和碳覆層器機械和化學(xué)保護作用，保護下面的磁性層；磁性層通常為一層多層膜結構，常用材料有CrCoTa，CoNiPt，CrCoPtTa；緩沖層能顯著(zhù)提高磁性層的磁性能�；谋砻婺�、粗糙度影響緩沖層的生長(cháng)，因此可通過(guò)對基片表面的精密加工來(lái)優(yōu)化和改善磁性合金層的組織和性能。
盤(pán)片材料
盤(pán)片在工作與運輸過(guò)程中會(huì )受到許多力的作用，如盤(pán)片的重力、盤(pán)片的隨主軸高速旋轉而產(chǎn)生的離心力，高速旋轉時(shí)硬盤(pán)內空氣湍流對盤(pán)片的作用等；在硬盤(pán)運輸與攜帶過(guò)程中還會(huì )由于各種機械震動(dòng)而使盤(pán)片受到?jīng)_擊。特別是筆記本電腦和其它使用硬盤(pán)的手提式電腦中，盤(pán)片除了受到正常的接觸啟動(dòng)/停止過(guò)程所帶來(lái)的作用力外，磁頭對盤(pán)片的沖擊還會(huì )由于外界的震動(dòng)而極度增大。這就要求盤(pán)片具有非常好的表面硬度和抗沖擊性。在整個(gè)盤(pán)片中，由于磁性層、襯層、潤滑層都是薄膜結構，基本上不具備必要的力學(xué)性質(zhì)，因此盤(pán)片的機械性能主要由基板提供。因此選用的基板材料必須具備一定的力學(xué)強度與表面硬度。
盤(pán)片以較高的轉速旋轉有利于硬盤(pán)快速讀取與寫(xiě)入數據，但隨轉速的提高，硬盤(pán)內空氣湍流對盤(pán)片的作用會(huì )急劇增大，盤(pán)片在此作用下會(huì )產(chǎn)生不規則振動(dòng)，這種振動(dòng)對盤(pán)片會(huì )造成極大的傷害；并且振動(dòng)的振幅隨主軸轉速增大而增大，當轉速增大到一定程度時(shí)，盤(pán)片會(huì )扭曲變形，是整個(gè)硬盤(pán)損壞。目前普通硬盤(pán)的轉速為5400轉/分鐘，部分高檔硬盤(pán)轉速已達到7200轉/分鐘，IBM公司及日本日立公司等都發(fā)布了轉速達到2000轉/分鐘的硬盤(pán)，下一步轉速將項向14000轉/分鐘發(fā)展，那時(shí)盤(pán)片受到的作用力將更大。由于材料的抗彎性能及共振頻率與彈性模具有關(guān)，為了得到較高的轉速，基板材料需具有較大的彈性模量。
Al合金基板材料
硬盤(pán)大部分都是采用Al合金基板。Al合金退火后，其硬度僅為0.9GPa，彈性模量?jì)H為70GPa。因為Al合金自身的力學(xué)性能不夠，無(wú)法抵抗磁頭高轉速帶來(lái)的力學(xué)沖擊，所以在A(yíng)l合金上增鍍了一層NiP來(lái)增強其力學(xué)性能。
但是NiP層表面結構凹凸不平使得磁頭的飛行高度無(wú)法降得太低，當硬盤(pán)磁盤(pán)表面具有波度時(shí)，磁頭就會(huì )隨著(zhù)高速旋轉的存儲器硬盤(pán)的波動(dòng)上下運動(dòng)[3-4] 。如果波度超過(guò)一定的高度時(shí)，磁頭就不再能隨著(zhù)波度運動(dòng)，它就會(huì )與磁盤(pán)基片表面碰撞，發(fā)生所謂的磁頭壓碎，導致磁盤(pán)設備發(fā)生故障或讀寫(xiě)信息的錯誤。另一方面當存儲器硬盤(pán)表面上存在數微米的微凸起時(shí)也會(huì )發(fā)生磁頭壓碎，相反，當硬盤(pán)表面存在凹坑時(shí)就不能完整地寫(xiě)入信息，由此導致所謂的“比特缺損”或信息讀出的失敗。最近為了適應超高存儲密度，磁頭與硬盤(pán)磁面之間的距離已經(jīng)減小到10nm以下[5] 。因此，在盤(pán)片表面拋光中，就要求制造出能夠使磁頭浮動(dòng)高度更小、沒(méi)有突起、劃痕和凹坑的光滑表面。
玻璃基板材料
為了進(jìn)一步提高硬盤(pán)驅動(dòng)器的.性能，人們希望得到一種更好的基板材料。玻璃，作為一種均勻致密的非金屬材料，首先被人們選為NiP/Al基板的候選者。玻璃的剛度比鋁合金大，適于制造薄盤(pán)，且可省卻NiP層的涂覆。最重要靜是玻璃宏觀(guān)均勻的，在拋光過(guò)程中無(wú)塑性形變，能夠得到非常光滑的表面，這就保證磁頭飛行高度可以做得更低，從而為提高盤(pán)片面積密度提供可能。
但由于玻璃是一種脆性材料，應用于高速旋轉驅動(dòng)器中需要解決的一個(gè)問(wèn)題是玻璃表面裂紋擴展造成玻璃開(kāi)裂的可能性。通過(guò)離子交換可以在玻璃表面產(chǎn)生一個(gè)壓應力層，從而鈍化裂紋尖端，阻止裂紋擴展，為了改進(jìn)玻璃基扳的缺陷，人們又考慮采用微晶玻璃作為硬盤(pán)基板。微晶玻璃通過(guò)對特定化學(xué)組成玻璃的控制晶化而得到的多相固體。微晶玻璃具有高均勻的顯微結構，無(wú)氣孔且在玻璃向微晶玻璃轉化過(guò)程中體積變化小，因此它具有優(yōu)良的表面特性、力學(xué)性能、熱穩定和化學(xué)穩定性，其強度與韌性都比其母體玻璃好；同時(shí)微晶玻璃的一個(gè)特點(diǎn)是其性能不僅與原始玻璃的化學(xué)組成有關(guān)，還在很大程度上決定于玻璃的熱歷史，這使得其各項性能在很大范圍內具有可調節性，有利于滿(mǎn)足不同環(huán)境的要求。
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