內存DDR工作原理及性能特點(diǎn)介紹

　　DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內存廠(chǎng)商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現DDR內存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

　　工作原理

　　SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數據傳輸;而DDR內存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱(chēng)為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線(xiàn)頻率下達到更高的數據傳輸率。

　　性能特點(diǎn)

　　與SDRAM相比：DDR運用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數據濾波信號)技術(shù)，當數據有效時(shí)，存儲控制器可使用這個(gè)數據濾波信號來(lái)精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來(lái)自不同存儲器模塊的數據。DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。

　　從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號。DDR內存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。

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