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美國芯源(MPS)筆試題目

時(shí)間:2020-10-24 12:08:03 筆試題目 我要投稿

美國芯源(MPS)筆試題目

  我應聘的是IPE,所以先講這個(gè)。

美國芯源(MPS)筆試題目

  IP Engineer

  1. 給六個(gè)元件,讓描述各元件功能,以及其中電壓,電流之間的關(guān)系,有MOSFET,二極管,電容,電感,電阻,BJT;

  2. 電壓比較器,給了輸入值,讓寫(xiě)出輸出值;

  3. 電容和電阻并聯(lián),再與一個(gè)二極管串聯(lián)的電路,在電容,電阻,二極管分別斷開(kāi)情況下,給定輸入電壓變化曲線(xiàn),畫(huà)輸出電壓,涉及到電容充放電的過(guò)程,時(shí)間計算等

  4. 兩段英文翻譯成中文(關(guān)于平板背光顯示,開(kāi)關(guān)電源),和一段中文翻譯成英文。

  Test Engineer(應該是最簡(jiǎn)單的一套題,但考試范圍很廣,要求各方面基礎扎實(shí))

  1. 你最喜歡的一門(mén)課,說(shuō)出原因;2,歐姆定律定義;3,用C語(yǔ)言給數組排序。

  5. 電壓源,電流源的阻抗性質(zhì),用他們和電阻組成電路,要求測阻值;設計用電壓源測二極管的好壞的電路

  6. 電容,電感定義,流經(jīng)的電流與電壓關(guān)系。

  7. 畫(huà)高斯分布曲線(xiàn)

  8. 算一個(gè)波形的周期,占空比

  9. 畫(huà)NMOSFET的電壓電流傳輸曲線(xiàn)

  10. 有電感,電容,開(kāi)關(guān)串聯(lián)組成的電路,開(kāi)關(guān)通斷時(shí),給定輸入波形后畫(huà)輸出波形

  11. 上題中加入電容后,繼續畫(huà)波形(電路分析多看看就沒(méi)問(wèn)題)

  12. 后面幾道題基本都是電容,電感,開(kāi)關(guān),二極管組成的電路,要求畫(huà)輸出波形;

  13. 還有幾道有關(guān)運放的題,主要在電壓比較器,加減法電路,基本都是畫(huà)波形。

  FA/Product Engineer

  1. PMOS管中,G,D短接后的輸出特性曲線(xiàn),在Vds變化時(shí)的輸出特性曲線(xiàn)

  2. NMOS中,Vds<0,Vgs=0的I-V曲線(xiàn);

  3. NPN BJT中,畫(huà)Ic和Vce特性曲線(xiàn),Vce從0-50V;

  4,標準CMOS反向器,描述至少一種歐姆接觸,畫(huà)DC轉移函數

  5.描述CMOS反向器閂鎖效應,涉及的有關(guān)問(wèn)題

  還有兩道鏡像電流源有關(guān)的.計算題,和一個(gè)遲滯比較器的計算題。

  Application Engineer

  1, 線(xiàn)圈耦合,四個(gè)端點(diǎn),分別接指定兩個(gè),算等價(jià)的電感;

  2, 運算放大電路計算題

  3, 含二極管的電路,給定輸入電壓,畫(huà)輸出

  4, 理想運放運算電路的計算題

  5, NMOS,PMOS串聯(lián)后,管的類(lèi)型,以及放大系數(選擇)

  6, 有電壓源,電流源的電路,算支路電流

  7, 電容,二極管,電感串聯(lián),給定輸出電壓,畫(huà)經(jīng)過(guò)每一器件的電壓圖

  8, 電容,電感,MOSFET在電路中的計算題;

  Design Engineer

  這個(gè)題最難,MPS里給的待遇也最高;

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