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晶體振蕩器有哪些技術(shù)指標-晶體振蕩器知識
晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡(jiǎn)稱(chēng)為晶片)，石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱(chēng)為石英晶體或晶體、晶振;而在封裝內部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱(chēng)為晶體振蕩器。下面，小編為大家講講晶體振蕩器的技術(shù)指標，希望對大家有所幫助!
�、笨傤l差
在規定的時(shí)間內，由于規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱(chēng)頻率的最大頻差。
說(shuō)明：總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度準確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩定度和頻率負載穩定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關(guān)心，而對其他頻率穩定度指標不嚴格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導雷達。
�、� 頻率溫度穩定度
在標稱(chēng)電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的最大允許頻偏。
fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
fTref =±MAX[|(fmax-fref)/fref|，|(fmin-fref)/fref|]
fT：頻率溫度穩定度(不帶隱含基準溫度)
fTref：頻率溫度穩定度(帶隱含基準溫度)
fmax ：規定溫度范圍內測得的最高頻率
fmin：規定溫度范圍內測得的最低頻率
fref：規定基準溫度測得的頻率
說(shuō)明：采用fTref指標的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用fT指標的晶體振蕩器，故fTref指標的晶體振蕩器售價(jià)較高。
�、� 頻率穩定預熱時(shí)間
以晶體振蕩器穩定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規定頻率允差所需要的時(shí)間。
說(shuō)明：在多數應用中，晶體振蕩器是長(cháng)期加電的，然而在某些應用中晶體振蕩器需要頻繁的開(kāi)機和關(guān)機。
這時(shí)頻率穩定預熱時(shí)間指標需要被考慮到(尤其是對于在苛刻環(huán)境中使用的軍用通訊電臺，當要求頻率溫度穩定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作為本振，頻率穩定預熱時(shí)間將不少于5分鐘，而采用DTCXO只需要十幾秒鐘)。
�、� 頻率老化率
在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)系。這種長(cháng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規定時(shí)限后的最大變化率(如±10ppb/天，加電72小時(shí)后)，或規定的時(shí)限內最大的總頻率變化(如：±1ppm/(第一年)和±5ppm/(十年))來(lái)表示。
說(shuō)明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm(第一年)和±1ppm～±5ppm(十年)(除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標。
因為即使在實(shí)驗室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過(guò)溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個(gè)指標失去了實(shí)際的意義)。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天(加電72小時(shí)后)，±30ppb～±2ppm(第一年)，±0.3ppm～±3ppm(十年)。
�、殿l率壓控范圍
將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量。
說(shuō)明：基準電壓為+2.5V，規定終點(diǎn)電壓為+0.5V和+4.5V，壓控晶體振蕩器在+0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm，在+4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為+130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm(2.5V±2V)。
�、秹嚎仡l率響應范圍
當調制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調制頻率之間的關(guān)系。通常用規定的調制頻率比規定的調制基準頻率低若干dB表示。
說(shuō)明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應為0～10kHz。
�、奉l率壓控線(xiàn)性
與理想(直線(xiàn))函數相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分數表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線(xiàn)性度。
說(shuō)明：典型的VCXO頻率壓控線(xiàn)性為：≤±10%，≤±20%。簡(jiǎn)單的VCXO頻率壓控線(xiàn)性計算方法為(當頻率壓控極性為正極性時(shí))：
頻率壓控線(xiàn)性=±((fmax-fmin)/ f0)×100%
fmax：VCXO在最大壓控電壓時(shí)的輸出頻率
fmin：VCXO在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻率
f0：壓控中心電壓頻率
�、竼芜厧辔辉肼暋�(f)
偏離載波f處，一個(gè)相位調制邊帶的功率密度與載波功率之比。
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