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硬盤(pán)的基本知識介紹
一款硬盤(pán)，我們往往根據品牌、型號，容量，價(jià)格四個(gè)方面進(jìn)行挑選。品牌反映產(chǎn)品的口碑和售后服務(wù)情況；型號反映產(chǎn)品性能，容量則視用戶(hù)的需求而定；價(jià)格更是影響用戶(hù)購買(mǎi)的能力。下面是小編為大家收集的硬盤(pán)的基本知識介紹，希望能夠幫助到大家。
硬盤(pán)的基本知識介紹 篇1
首先，讓我先為大家解釋一些平時(shí)常常聽(tīng)到的關(guān)于硬盤(pán)的一些基本知識：
1．Ultra
DMA/66
硬盤(pán)的接口類(lèi)型，表示硬盤(pán)的最大外部傳輸速度為66MB/S，雖然這并不是必不可少的東西，但已經(jīng)成為技術(shù)標準。
2．內部傳輸速率：
決定硬盤(pán)速度的關(guān)鍵。在資料上往往看到兩種數據，一是2*、而是2**，區別怎么這么大呢？原來(lái)是單位不同，前者是MB/S，后者是MB/S，比較時(shí)把采用第二種單位的數據除以8即可。
3．GMR
磁盤(pán)的磁頭類(lèi)型，表示硬盤(pán)使用了巨磁阻磁頭。與傳統的MR磁阻磁頭相比，具有更高的靈敏度。
4．單碟容量由磁道密度決定
因為每碟有兩個(gè)數據面，所以單碟容量是兩個(gè)數據面容量之和。
5．容量
由碟片數和磁頭數決定。容量=單數據面容量*磁頭數，也就是說(shuō)，每個(gè)磁碟要配上兩個(gè)磁頭才能把兩個(gè)數據面都用上。
6．轉速指硬盤(pán)主軸的旋轉速度。
提轉速是提高內部傳輸速度的`好辦法，但是帶來(lái)的副作用也是明顯的。最明顯的就是噪音與發(fā)熱量均顯著(zhù)增大，新一代的產(chǎn)品總能更好解決這個(gè)問(wèn)題。
7．緩存（CACHE）
它是用來(lái)存放臨時(shí)數據的地方，當然是越大越好了。
以上是一些關(guān)于硬盤(pán)的基本的知識。我們知道，目前各廠(chǎng)的產(chǎn)品往往根據轉速分成面向主流用戶(hù)的5400rpm和面向高端用戶(hù)的7200rpm兩個(gè)系列；又根據單碟容量的提升將產(chǎn)品分代，（比如昆騰X代等等），每代產(chǎn)品又根據市場(chǎng)定位的不同，生產(chǎn)采用不同緩存大小的產(chǎn)品；或者是在低容量產(chǎn)品中采用小Cache,大容量產(chǎn)品中采用大Cache。一般情況下，產(chǎn)品越新，緩存越大性能就越好。但是現在的市場(chǎng)上有些廠(chǎng)商為了謀取暴利，往往采用相同容量的產(chǎn)品以次充好的方法來(lái)欺騙消費者，所以就有了我這篇文章。下面讓我們分別了解一下各大硬盤(pán)生產(chǎn)廠(chǎng)商的產(chǎn)品都是怎么樣命名一.昆騰系列（Quantum）：
昆騰產(chǎn)品分為5400rpm的火球（Fireball）和7200rpm的超能火球（FireballPlus）兩個(gè)系列，質(zhì)量保證期為一年。
硬盤(pán)的基本知識介紹 篇2
1、容量
容量可以說(shuō)是用戶(hù)對硬盤(pán)認識最多的一個(gè)技術(shù)指標，它的單位是兆字節(MB)或千兆字節(GB)。影響容量的兩個(gè)因素是單碟容量和碟片數量。顧名思義，單碟容量也就是在單張盤(pán)片上所能存儲的信息容量，單盤(pán)容量越大，實(shí)現大容量硬盤(pán)也就越容易，尋找數據所需的時(shí)間也相對減少�，F在硬盤(pán)的單碟容量是越做越大了，一般都可以達到20G。單碟容量提高的同時(shí)，硬盤(pán)的生產(chǎn)成本也隨之而降低，這也是為什么硬盤(pán)廠(chǎng)商競先推出高單碟容量的硬盤(pán)產(chǎn)品。你有時(shí)在檢測硬盤(pán)時(shí)可能會(huì )發(fā)現廠(chǎng)家標稱(chēng)的容量和電腦檢測的容量不一致，這是由于他們采用的換算單位不同，廠(chǎng)家多以1000進(jìn)制換算，即1MB=1000byte、1GB=1000MB，而電腦中多用1024進(jìn)制換算。
2、緩存
由于CPU運算與硬盤(pán)讀取之間存在著(zhù)巨大的速度差異，為了解決硬盤(pán)在讀寫(xiě)數據時(shí)CPU的等待問(wèn)題，在硬盤(pán)上設置適當的高速緩存，以解決二者之間速度不匹配的問(wèn)題。硬盤(pán)緩存與主板上的高速緩存作用一樣，是為了提高硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度，當然緩存越大越好。目前IDE硬盤(pán)的高速緩存一般為512K到2M之間，主流硬盤(pán)的數據緩存應該為2MB，而在SCSI硬盤(pán)中最高的數據緩存現在已經(jīng)達到了16MB。
3、轉速
轉速指的是硬盤(pán)內電機主軸的轉動(dòng)速度，其單位是RPM(RoundPerMinute，每分鐘旋轉次數)，它直接影響硬盤(pán)的數據傳輸率，理論上轉速越快數據傳輸率就越大。目前IDE接口的硬盤(pán)主軸轉速一般為5400和7200rpm(轉/秒)，主流硬盤(pán)的轉速為7200RPM，至于SCSI硬盤(pán)的主軸轉速一般可達7200到10,000rpm，而最高轉速的SCSI硬盤(pán)轉速高達15,000rpm。更快的轉速可以使盤(pán)片轉動(dòng)一周的時(shí)間減短，使平均等待時(shí)間和平均尋道時(shí)間減短，更快地尋找所需要的數據，同時(shí)硬盤(pán)的'內部傳輸率也會(huì )提高，使讀寫(xiě)速度加快。
4、平均尋道時(shí)間
這個(gè)指標指磁頭從得到指令到尋找到數據所在磁道的時(shí)間，它是代表硬盤(pán)讀取數據的能力，單位為毫秒，需要注意的是它與平均訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間有差別。平均尋道時(shí)間越小越好，現在選購硬盤(pán)時(shí)應該選擇平均尋道時(shí)間低于9毫秒的產(chǎn)品。
5、內部數據傳輸率
內部數據傳輸率是磁頭到硬盤(pán)的高速緩存之間的數據傳輸速度，這可以說(shuō)是影響硬盤(pán)整體性能的關(guān)鍵，一般取決于硬盤(pán)的盤(pán)片轉速和盤(pán)片數據線(xiàn)密度。在這項指標中常常使用Mb/S或Mbps為單位，這是兆位/秒的意思，如果需要轉換成MB/S(兆字節/秒)，就必須將Mbps數據除以8。例如有的硬盤(pán)給出最大內部數據傳輸率為131Mbps，但如果按MB/S計算就只有16.37MB/s。目前市場(chǎng)上主流硬盤(pán)的最大內部數據傳輸率為30MB/s到45MB/s，這比UltraATA/100的100MB/s低多了，由此可以看出目前硬盤(pán)作為電腦的瓶頸，其病根還在于硬盤(pán)的內部數據傳輸率上。
6、外部數據傳輸率
這是指從硬盤(pán)緩沖區讀取數據的速率。它與硬盤(pán)的接口類(lèi)型是直接掛勾的，因此在廣告或硬盤(pán)特性表中常以數據接口速率代替，單位為MB/S。目前主流硬盤(pán)普通采用的是UltraATA/66，它的最大外部數據率即為66.7MB/s。而采用目前最新的UltraATA/100接口最大外部數據傳輸率即可達到100MB/s。對于SCSI硬盤(pán)，若采用最新的Ultra160/mSCSI接口標準，其數據傳輸率可達160MB/s，FibraChannel的最大外部數據傳輸將可達200MB/s！
7、MTBF(連續無(wú)故障時(shí)間)
它指硬盤(pán)從開(kāi)始運行到出現故障的最長(cháng)時(shí)間，單位是小時(shí)。一般硬盤(pán)的MTBF至少在30000或40000小時(shí)。這項指標在一般的產(chǎn)品廣告或常見(jiàn)的技術(shù)特性表中并不提供，需要時(shí)可專(zhuān)門(mén)上網(wǎng)到具體生產(chǎn)該款硬盤(pán)的公司網(wǎng)址中查詢(xún)。
除了以上提到的這些技術(shù)指標外，影響硬盤(pán)性能的還有道至道時(shí)間、硬盤(pán)表面溫度等因素，這里就不再贅述了。說(shuō)實(shí)話(huà)，一口氣說(shuō)這么多專(zhuān)業(yè)性挺強的內容，不但你可能難以消化，就是我的頭都大了。但之所以堅持講這些術(shù)語(yǔ)常識，只是希望你對硬盤(pán)能有一個(gè)初步的了解，不至于對硬盤(pán)一無(wú)所知。
硬盤(pán)的基本知識介紹 篇3
潤滑層和碳覆層器機械和化學(xué)保護作用，保護下面的磁性層；磁性層通常為一層多層膜結構，常用材料有CrCoTa，CoNiPt，CrCoPtTa；緩沖層能顯著(zhù)提高磁性層的磁性能�；谋砻婺�、粗糙度影響緩沖層的生長(cháng)，因此可通過(guò)對基片表面的精密加工來(lái)優(yōu)化和改善磁性合金層的組織和性能。
盤(pán)片材料
盤(pán)片在工作與運輸過(guò)程中會(huì )受到許多力的作用，如盤(pán)片的重力、盤(pán)片的隨主軸高速旋轉而產(chǎn)生的離心力，高速旋轉時(shí)硬盤(pán)內空氣湍流對盤(pán)片的作用等；在硬盤(pán)運輸與攜帶過(guò)程中還會(huì )由于各種機械震動(dòng)而使盤(pán)片受到?jīng)_擊。特別是筆記本電腦和其它使用硬盤(pán)的手提式電腦中，盤(pán)片除了受到正常的接觸啟動(dòng)/停止過(guò)程所帶來(lái)的作用力外，磁頭對盤(pán)片的沖擊還會(huì )由于外界的震動(dòng)而極度增大。這就要求盤(pán)片具有非常好的表面硬度和抗沖擊性。在整個(gè)盤(pán)片中，由于磁性層、襯層、潤滑層都是薄膜結構，基本上不具備必要的力學(xué)性質(zhì)，因此盤(pán)片的機械性能主要由基板提供。因此選用的基板材料必須具備一定的.力學(xué)強度與表面硬度。
盤(pán)片以較高的轉速旋轉有利于硬盤(pán)快速讀取與寫(xiě)入數據，但隨轉速的提高，硬盤(pán)內空氣湍流對盤(pán)片的作用會(huì )急劇增大，盤(pán)片在此作用下會(huì )產(chǎn)生不規則振動(dòng)，這種振動(dòng)對盤(pán)片會(huì )造成極大的傷害；并且振動(dòng)的振幅隨主軸轉速增大而增大，當轉速增大到一定程度時(shí)，盤(pán)片會(huì )扭曲變形，是整個(gè)硬盤(pán)損壞。目前普通硬盤(pán)的轉速為5400轉/分鐘，部分高檔硬盤(pán)轉速已達到7200轉/分鐘，IBM公司及日本日立公司等都發(fā)布了轉速達到2000轉/分鐘的硬盤(pán)，下一步轉速將項向14000轉/分鐘發(fā)展，那時(shí)盤(pán)片受到的作用力將更大。由于材料的抗彎性能及共振頻率與彈性模具有關(guān)，為了得到較高的轉速，基板材料需具有較大的彈性模量。
Al合金基板材料
硬盤(pán)大部分都是采用Al合金基板。Al合金退火后，其硬度僅為0.9GPa，彈性模量?jì)H為70GPa。因為Al合金自身的力學(xué)性能不夠，無(wú)法抵抗磁頭高轉速帶來(lái)的力學(xué)沖擊，所以在A(yíng)l合金上增鍍了一層NiP來(lái)增強其力學(xué)性能。
但是NiP層表面結構凹凸不平使得磁頭的飛行高度無(wú)法降得太低，當硬盤(pán)磁盤(pán)表面具有波度時(shí)，磁頭就會(huì )隨著(zhù)高速旋轉的存儲器硬盤(pán)的波動(dòng)上下運動(dòng)[3-4] 。如果波度超過(guò)一定的高度時(shí)，磁頭就不再能隨著(zhù)波度運動(dòng)，它就會(huì )與磁盤(pán)基片表面碰撞，發(fā)生所謂的磁頭壓碎，導致磁盤(pán)設備發(fā)生故障或讀寫(xiě)信息的錯誤。另一方面當存儲器硬盤(pán)表面上存在數微米的微凸起時(shí)也會(huì )發(fā)生磁頭壓碎，相反，當硬盤(pán)表面存在凹坑時(shí)就不能完整地寫(xiě)入信息，由此導致所謂的“比特缺損”或信息讀出的失敗。最近為了適應超高存儲密度，磁頭與硬盤(pán)磁面之間的距離已經(jīng)減小到10nm以下[5] 。因此，在盤(pán)片表面拋光中，就要求制造出能夠使磁頭浮動(dòng)高度更小、沒(méi)有突起、劃痕和凹坑的光滑表面。
玻璃基板材料
為了進(jìn)一步提高硬盤(pán)驅動(dòng)器的性能，人們希望得到一種更好的基板材料。玻璃，作為一種均勻致密的非金屬材料，首先被人們選為NiP/Al基板的候選者。玻璃的剛度比鋁合金大，適于制造薄盤(pán)，且可省卻NiP層的涂覆。最重要靜是玻璃宏觀(guān)均勻的，在拋光過(guò)程中無(wú)塑性形變，能夠得到非常光滑的表面，這就保證磁頭飛行高度可以做得更低，從而為提高盤(pán)片面積密度提供可能。
但由于玻璃是一種脆性材料，應用于高速旋轉驅動(dòng)器中需要解決的一個(gè)問(wèn)題是玻璃表面裂紋擴展造成玻璃開(kāi)裂的可能性。通過(guò)離子交換可以在玻璃表面產(chǎn)生一個(gè)壓應力層，從而鈍化裂紋尖端，阻止裂紋擴展，為了改進(jìn)玻璃基扳的缺陷，人們又考慮采用微晶玻璃作為硬盤(pán)基板。微晶玻璃通過(guò)對特定化學(xué)組成玻璃的控制晶化而得到的多相固體。微晶玻璃具有高均勻的顯微結構，無(wú)氣孔且在玻璃向微晶玻璃轉化過(guò)程中體積變化小，因此它具有優(yōu)良的表面特性、力學(xué)性能、熱穩定和化學(xué)穩定性，其強度與韌性都比其母體玻璃好；同時(shí)微晶玻璃的一個(gè)特點(diǎn)是其性能不僅與原始玻璃的化學(xué)組成有關(guān)，還在很大程度上決定于玻璃的熱歷史，這使得其各項性能在很大范圍內具有可調節性，有利于滿(mǎn)足不同環(huán)境的要求。
硬盤(pán)的基本知識介紹 篇4
固態(tài)硬盤(pán)參數1閃存顆粒
固態(tài)硬盤(pán)是通過(guò)NAND 閃存顆粒(U盤(pán)都會(huì )用到的)來(lái)存儲數據，因此，閃存顆粒尤為重要。其是由內部若干個(gè)儲存電荷的Cell(存儲單元)組合而成，Cell的種類(lèi)決定了閃存顆粒的種類(lèi);根據Cell的種類(lèi)，可分為SLC、MLC、TLC顆粒。
(不同種類(lèi)顆粒內的Cell示意圖，0與1代表存儲的數據)
SLC: 一個(gè)存儲單元存1bit的數據
MLC：一個(gè)存儲單元存2bit的數據
TLC： 一個(gè)存儲單元存3bit的數據
在一個(gè)存儲單元里面要表示多種數據就要采用不同的電壓來(lái)區分，因此對于較高的電壓，增壓的過(guò)程與低電壓相比需要更長(cháng)的時(shí)間來(lái)完成，因此TLC訪(fǎng)問(wèn)數據時(shí)間最長(cháng)，其次為MLC，最快為SLC。
閃存顆粒速度排行：SLC>MLC>TLC
說(shuō)完閃存顆粒的速度，就不得不提一下閃存顆粒另外一大指標-----壽命。SSD的壽命很大一部分是取決于閃存顆粒的類(lèi)型，SSD的壽命指標為P/E次數(完全擦寫(xiě))，1次P/E指硬盤(pán)完全寫(xiě)滿(mǎn)一次并且擦除一次(由于工作原理不同，普通HDD硬盤(pán)不存在P/E限制)。SLC閃存多用于企業(yè)級存儲，其擦寫(xiě)次數能達10萬(wàn)次，穩定性最好;目前25nm的MLC顆粒P/E 3000~5000次，TLC顆粒的P/E也有1000次以上，1000次P/E的概念:舉個(gè)栗子對于100G的SSD而言，每天寫(xiě)滿(mǎn)100G，能用1000天，大概能用三年的樣子。專(zhuān)注TLC三萬(wàn)年的三(喪)星，旗下的TLC顆粒的840evo 120G網(wǎng)上測試的極限擦寫(xiě)次數竟達3409P/E，寫(xiě)入406.68 TB ，可見(jiàn)TLC的壽命也不容小覷。
閃存顆粒壽命排行：SLC>MLC>TLC
近幾年主控芯片的發(fā)展，致使廉價(jià)的TLC也開(kāi)始步入固態(tài)硬盤(pán)的市場(chǎng)，更多低價(jià)格的TLC固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)始普及，不過(guò)TLC的本身的缺陷仍然不容忽視，由于TLC單個(gè)存儲單元存在8種電壓狀態(tài)，彼此之間容易出錯，所以就不能不校驗了，速度就由此拖慢，這也與市面上TLC的SSD用舊出現掉速的情況有關(guān)。TLC閃存的穩定性也是要考量的一大因素，沒(méi)有強大的主控支持，也救不了TLC的固態(tài)硬盤(pán)，要挑一些具有相對成熟的主控芯片的產(chǎn)品。
閃存顆粒價(jià)格排行：SLC>MLC>TLC
小結：SLC閃存除企業(yè)與某些土豪外，實(shí)在不是我們尋常人的玩具。而MLC以其適中的壽命與性能，成為大部分的電腦發(fā)燒友、部分設計師、游戲玩家之必備(買(mǎi)買(mǎi)買(mǎi))，將大型單機游戲放進(jìn)去更有強大讀盤(pán)buff(增益效果)。而在日常使用中，不強調性能，僅是日常辦公需要，看看開(kāi)機秒數的，或者預算略緊的，不妨考慮下TLC，畢竟老話(huà)說(shuō)得好：再慢的SSD也比hdd跑得快。
固態(tài)硬盤(pán)參數2主控芯片
主控就如cpu那樣，在SSD中負責調度，控制和管理SSD，是SSD的.數據中樞，不僅如此主控還負責ECC糾錯、耗損平衡、壞塊映射、讀寫(xiě)緩存、垃圾回收以及加密等一系列的功能。
SSD市面上基本有這幾家主控廠(chǎng)商：Marvell，Samsung，JMF，慧榮SMI，Indilinx，SandForce，群聯(lián)Phison。
Marvell：中高端產(chǎn)品比較容易見(jiàn)到它的身影，其主控穩定，跑分不含水分，可謂中流砥柱，在主控中擔當大哥的角色。多數中端MLC產(chǎn)品采用的是Marvell的主控，諸如浦科特，英睿達，鎂光。要挑選中高端的SSD，該主控也是不錯的選擇。
Samsung：三星自家的主控，只用在自家的SSD產(chǎn)品上，配合自家的3D V-NAND閃存，產(chǎn)品的口碑不錯。
JMF：主打低端市場(chǎng)，較為低端的主控，特點(diǎn)為性能不佳但便宜，采用此主控的SSD有影馳戰將系列等，需求不高而又預算不多者可以考慮。
慧榮SMI : 同上，中低端產(chǎn)品較多，相對JMF而言好那么一丟丟，感覺(jué)略為中庸吧。
Indilinx：早些年之前，ocz(饑餓鯊)收購了indilinx，研發(fā)了自家的獨立主控barefoot(目前出到第三代)，旗下的Vertex系列和Vector系列均采用該主控，饑餓鯊的主控也是杠桿的。
SandForce：與marvell相比稍差一些，自家獨特的壓縮算法，對持續讀寫(xiě)(持續讀寫(xiě)可不是性能的重要指標，后面會(huì )提到)有獨特加成，跑分或許有些貓膩，不過(guò)其壓縮算法也提升了SSD的壽命。Intel，東芝，金士頓等都有采用過(guò)該家的主控。
群聯(lián)Phison：同smi主打中低端市場(chǎng)，算是穩定，但是同樣的比較中庸。
小結：此處只提供一些主控的口碑作參考，畢竟SSD單看主控還不行，還要配合閃存芯片，注重SSD性能的朋友們買(mǎi)SSD時(shí)就要多多留意下主控了，若是日常應用不高的朋友們看看就好oo
固態(tài)硬盤(pán)參數3接口
SSD的接口分為四種，即SATA接口，mSATA接口，M.2接口(NGFF)以及PCI-E接口。
SATA接口：SATA接口是當下最常見(jiàn)的硬盤(pán)形態(tài)，外觀(guān)尺寸基本與筆記本2.5寸普通硬盤(pán)(HDD)相當。此類(lèi)SSD絕大部分采用了SATA 3.0接口，其理論最大傳輸速度為600MB/s;隨著(zhù)技術(shù)發(fā)展，SATA接口正日益成為阻止SSD變得更快的關(guān)鍵因素。但其具有升級方便、價(jià)格相對較低等特點(diǎn)，適合臺式機及舊筆記本升級、更換之用。
普通SATA接口的SSD
mSATA接口：mSATA接口的出現，是專(zhuān)門(mén)適應SSD小型化的需要，在SSD開(kāi)始普及的前幾年，扮演了關(guān)鍵的角色。由于從普通SATA改進(jìn)而來(lái)，其接口速度與SATA相當;但尺寸則要小許多，以便于安裝在筆記本狹小的空間當中，同時(shí)不會(huì )影響既有SATA硬盤(pán)。在接口帶寬也成為了瓶頸之時(shí)，其逐漸被M.2接口取代。
mSATA接口的SSD
M.2接口 : M.2接口(也稱(chēng)NGFF)作為mSATA的繼承者，擁有著(zhù)更小巧、更快速的特點(diǎn)。M.2接口分為Socket 2和Socket 3兩類(lèi)形態(tài)，Socket 3接口使用PCI-E x4通道，理論帶寬可達4GB/s，如同火箭。Socket 2接口可使用SATA和PCI-E x2通道，使用SATA通道的同普通SATA硬盤(pán)相似，速度上限為600MB/s;而PCI-E x2最大的讀取速度可以達到700MB/s，寫(xiě)入也能達到550MB/s。
價(jià)格方面，M.2整體成本比普通SATA硬盤(pán)稍高，尤以Socket 3產(chǎn)品最為高貴(如三星950PRO);其他產(chǎn)品相同容量下的價(jià)格也比SATA形態(tài)者多出100~200元。不過(guò)現今新型筆記本中，不少都配備了M.2接口，這樣可以在不影響原有HDD硬盤(pán)的情況下進(jìn)行升級，還是值得的。
【注意①】并不是有M.2接口的主板都支持所有M.2的SSD，還要看主板的M.2支持哪一種通道(SATA通道or PCI-E 通道)，通常筆記本支持SATA通道較多，臺式機所用M.2支持PCI-E通道較多，也有的主板同時(shí)支持兩種通道。所以在購買(mǎi)前，要查清楚自己電腦的M.2接口支持哪一種通道。
主板上的m.2接口
【注意②】M.2接口SSD具有不同尺寸，長(cháng)度有30mm、42mm、60mm、80mm、110mm 共五種(寬度固定)，網(wǎng)上所說(shuō)的2242即寬度22mm長(cháng)度42mm的意思。通常筆記本會(huì )規定M.2 SSD最大支持的長(cháng)度，這是由主板上固定的螺絲位置決定的(臺式機主板有的話(huà)一般不受限制)，因此購買(mǎi)M.2 SSD也要考慮長(cháng)度哦
PCI-E接口:
PCI-E接口SSD僅能在桌面平臺使用，其基于PCI-E 4x通道，充裕的帶寬使其性能得以充分發(fā)揮。以Intel 750系列為例，其連續讀取速度達2400MB/s，連續寫(xiě)入1200Mb/s(相當于SATA形態(tài)SSD的四倍，甚至更多)。只有大中型企業(yè)以及一部分土豪可以承受。
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