閃存存儲器的浮柵耦合電位研究

全部作者： 董國生 第1作者單位： 上海交通大學(xué)微電子學(xué)院 論文摘要： 本文首先介紹了分柵閃存存儲器的器件結構及其通常情況下擦除、編程、和讀取時(shí)的字線(xiàn)電位、源線(xiàn)電位、位線(xiàn)電位和操作時(shí)間等在內的操作條件, 然后詳細闡述了該器件結構浮柵單元通過(guò)F-N電子隧穿和溝道熱電子注入來(lái)進(jìn)行擦除和編程的工作原理以及在控制柵和疊柵的水平和垂直方向上的電場(chǎng)分布。在對存儲器的器件結構和工作原理的介紹的基礎之上，對標準疊柵和分柵結構分別建立了平板電容理論模型，從而進(jìn)1步得到了浮柵電位的耦合系數模型。模型的建立非常有利于現實(shí)工作中進(jìn)行閃存性能和失效模式的分析，從而可以更快更有效地改進(jìn)閃存工藝，提高閃存性能。 關(guān)鍵詞： 分柵閃存器件，熱載流子, 浮柵耦合系數，電容系統模型 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月14日 同行評議：

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