鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵電流模擬分析

全部作者： 王偉 孫建平 顧寧 第1作者單位： 東南大學(xué) 論文摘要： 運用1種量子模型研究鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵隧穿電流，對柵電流中的3維電流成分用行波統1地計算熱發(fā)射電流、通過(guò)介質(zhì)勢壘的FN (Fowler- Nordheim) 隧穿電流，直接隧穿電流，帶間隧穿電流；對2維柵電流成分通過(guò)反型層勢阱中準束縛態(tài)的隧穿率計算。運用該方法計算了各種鉿基高k介質(zhì)材料和結構的MOSFET柵極電流, 并進(jìn)行了分析比較。研究了鉿基高k介質(zhì)中氮、鉿和鋁等元素含量及界面層對柵極電流的影響。結果顯示，為最大限度減少MOS器件的柵電流，需要優(yōu)化介質(zhì)中氮含量、鋁含量及界面層厚度。本模型能夠與實(shí)驗結果很好地吻合。 關(guān)鍵詞： 高k；柵電流；量子模型 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年06月06日 同行評議：

作者在已有自己研究工作的基礎上，發(fā)展了納米MOSFET柵隧穿電流模型。計算結果與實(shí)驗相1致，且文中給出的結果對發(fā)展鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵有指導意義。 下面問(wèn)題請作者考慮： （1）作者單位：Southest University，書(shū)寫(xiě)有誤，改為Southeast University （2）中文摘要：“……計算了各種鉿基高k介質(zhì)材料…..”中“各種”建議改為“多種”。 （3）Fig. 2 圖題中，Data of crystallization temperature are from [1]（上標）. 文獻[1]的標注不應是上標，應為“from [1]”，其余同。 （4）Fig. 3(a) 中標了5種情況，實(shí)際有6根曲線(xiàn)。 （5）Fig. 5 下面的正文文字（1，2行）字號大小不1樣大。 　

綜合評價(jià)： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專(zhuān)家給出的評審意見(jiàn)，綜合評價(jià)是綜合專(zhuān)家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

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