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鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵電流模擬分析
全部作者: 王偉 孫建平 顧寧 第1作者單位: 東南大學(xué) 論文摘要: 運用1種量子模型研究鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵隧穿電流,對柵電流中的3維電流成分用行波統1地計算熱發(fā)射電流、通過(guò)介質(zhì)勢壘的FN (Fowler- Nordheim) 隧穿電流,直接隧穿電流,帶間隧穿電流;對2維柵電流成分通過(guò)反型層勢阱中準束縛態(tài)的隧穿率計算。運用該方法計算了各種鉿基高k介質(zhì)材料和結構的MOSFET柵極電流, 并進(jìn)行了分析比較。研究了鉿基高k介質(zhì)中氮、鉿和鋁等元素含量及界面層對柵極電流的影響。結果顯示,為最大限度減少MOS器件的柵電流,需要優(yōu)化介質(zhì)中氮含量、鋁含量及界面層厚度。本模型能夠與實(shí)驗結果很好地吻合。 關(guān)鍵詞: 高k;柵電流;量子模型 (瀏覽全文) 發(fā)表日期: 2006年06月06日 同行評議:
作者在已有自己研究工作的基礎上,發(fā)展了納米MOSFET柵隧穿電流模型。計算結果與實(shí)驗相1致,且文中給出的結果對發(fā)展鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵有指導意義。 下面問(wèn)題請作者考慮: (1)作者單位:Southest University,書(shū)寫(xiě)有誤,改為Southeast University (2)中文摘要:“……計算了各種鉿基高k介質(zhì)材料…..”中“各種”建議改為“多種”。 (3)Fig. 2 圖題中,Data of crystallization temperature are from [1](上標). 文獻[1]的標注不應是上標,應為“from [1]”,其余同。 (4)Fig. 3(a) 中標了5種情況,實(shí)際有6根曲線(xiàn)。 (5)Fig. 5 下面的正文文字(1,2行)字號大小不1樣大。
綜合評價(jià): 修改稿: 注:同行評議是由特聘的同行專(zhuān)家給出的評審意見(jiàn),綜合評價(jià)是綜合專(zhuān)家對論文各要素的評議得出的數值,以1至5顆星顯示。【鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵電流模擬分析】相關(guān)文章:
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