超薄HfO2高K柵介質(zhì)中電場(chǎng)依賴(lài)的時(shí)變擊穿（TDDB）特性

全部作者： 楊紅 薩寧 康晉鋒 第1作者單位： 北京大學(xué)微電子所 論文摘要： 本文利用高溫工藝制備了等效氧化層厚度（EOT）小于0.9納米的超薄HfO2高K柵介質(zhì)MOS器件，研究了其時(shí)變擊穿（TDDB）特性。結果顯示，其TDDB特性呈本征特性，在常電壓應力作用下，HfO2高K柵介質(zhì)顯示了應力電壓依賴(lài)的TDDB特性，即在低應力電壓下，界面層優(yōu)先擊穿，而在高應力電壓下，HfO2體層優(yōu)先擊穿。1個(gè)關(guān)于高K柵介質(zhì)的TDDB擊穿的新模型被提出。 關(guān)鍵詞： 高K柵介質(zhì)，可靠性，時(shí)變擊穿，常電壓應力 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年12月31日 同行評議：

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