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MOSFET重離子源漏穿通效應的二維數值模擬
全部作者： 夏春梅 賀朝會(huì ) 第1作者單位： 西安交通大學(xué) 論文摘要： 用DESSIS器件模擬軟件對MOSFET的單粒子效應進(jìn)行了研究，模擬的結果與電荷漏斗模型[1]相吻合，表明了所建立的物理模型的正確性。在不同LET（Linear Energy Transfer）值的離子的入射下，MOSFET的漏極收集電流隨LET值的增大而增大。模擬結果表明重離子也能引起源－漏穿通效應，而且證明當器件的特征尺寸減小到1定尺度以下時(shí)，既能產(chǎn)生直接溝道效應，也能產(chǎn)生間接溝道效應。通過(guò)比較不同特征尺寸器件在間接溝道入射時(shí)溝道處的等位線(xiàn)的分布情況，證明了當器件的特征尺寸越來(lái)越小時(shí)，源－漏穿通效應越來(lái)越明顯。 關(guān)鍵詞： DESSIS 電荷漏斗模型 源－漏穿通效應 直接溝道效應 間接溝道效應 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月25日 同行評議：
目前對于單粒子效應的研究多集中于實(shí)驗方面，對器件內部發(fā)生的過(guò)程和機制尚需進(jìn)行細致的理論分析，因此該論文的選題有意義。但是該文的全部?jì)热菔抢矛F有軟件對MOSFET的重離子輻照瞬態(tài)過(guò)程進(jìn)行模擬，沒(méi)有反映重要的器件物理問(wèn)題如：受到重離子輻照而激發(fā)產(chǎn)生過(guò)剩載流子的機制、過(guò)剩載流子的瞬態(tài)運動(dòng)、載流子分布的變化規律等，僅單純使用軟件給出了1些模擬結果，意義不明顯。具體來(lái)說(shuō)，存在以下缺陷：（1）如果使用短暫的光脈沖進(jìn)行激發(fā)，同樣會(huì )得到類(lèi)似于圖3、圖6、圖7、圖8的結果（即也能形成溝道導致源漏穿通），重離子輻照和光輻照相比有何特別之處、究竟是怎樣作用的，沒(méi)有具體說(shuō)明；（2）在MOSFET漏極結附近的等位線(xiàn)無(wú)論是否受到重離子輻照均會(huì )表現出類(lèi)似于圖2的分布規律，因此僅以圖2為據說(shuō)明“所建立的物理模型的正確性”很牽強；（3）盡管該文多處提到“所建立的物理模型”，但是從該文中并未見(jiàn)到作者所建立的物理模型；（4）圖6沒(méi)有橫坐標名稱(chēng)，圖5對應于圖6的哪1時(shí)刻也未明示；（5）國內外已有不少單位對MOSFET的單粒子效應做了實(shí)驗研究和理論分析，該文參考文獻未反映。
綜合評價(jià)： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專(zhuān)家給出的評審意見(jiàn)，綜合評價(jià)是綜合專(zhuān)家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。【MOSFET重離子源漏穿通效應的二維數值模擬】相關(guān)文章：
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