硬件工程師筆試題目

　　筆試題一：

　　1)三極管的三個(gè)工作區域及條件(放大區、截止區、飽和區)

　　2)PCB的3W原則和20H原則(3W是相鄰走線(xiàn)的中心間距大于3倍標準線(xiàn)寬，H指的是電源層與底層之間的介質(zhì)的厚度，把電源層的邊緣向內所20H以上)

　　3)PCB相鄰層走線(xiàn)的方向(盡量相互垂直)

　　4)第三代移動(dòng)通信技術(shù)3G的制式有哪幾種?(移動(dòng)TD-SDCMA、聯(lián)通WCMDA、電信CDMA2000)

　　5)SDRAM和FLASH的區別?程序加載在哪里運行?為什么?(SDRAM——靜態(tài)同步RAM，FLASH——閃存。程序加載在SDRAM里，因為其讀寫(xiě)速度快于FLASH)

　　6)摩爾狀態(tài)機和米勒狀態(tài)的區別?(Moore：輸出只與狀態(tài)有關(guān)，與輸入無(wú)關(guān);Melay：輸出與狀態(tài)和輸入都有關(guān))

　　7)“線(xiàn)與”問(wèn)題。(“線(xiàn)與”就是將邏輯門(mén)的輸出直接并聯(lián)以實(shí)現邏輯與的功能。前提條件：邏輯門(mén)必須為OC/OD門(mén))

　　8)鎖相環(huán)的結構組成?

　　9)同步電路和異步電路的時(shí)鐘問(wèn)題?

　　10)射頻電路中，射頻功率dbw的計算。(0dbw+0dbw = ?)

　　11)短路傳輸線(xiàn)的特征阻抗計算公式?

　　12)射頻測量的注意事項?影響天線(xiàn)發(fā)射效率的主要因素是啥?

　　13)If語(yǔ)句和switch語(yǔ)句的應用與區別

　　14)PCM編碼的采樣頻率是多少?

　　15)基于理想運算放大器的反相比例放大電路的計算。

　　16)CMOS集成電路和TTL集成電路相關(guān)

　　17)51單片機的MOVX指令尋址空間?51單片機復位后，各寄存器SP、PSW等的值

　　18)元器件的熱性能參數

　　19)異步通信方式?握手、異步FIFO、雙口RAM

　　20)高頻電路中，史密斯圓圖的原點(diǎn)代表的阻抗是多少?加電容和電感，史密斯圓圖點(diǎn)旋轉方向?

　　21)TTL電平和CMOS電平的接口問(wèn)題

　　22)直流發(fā)電機知識

　　23)空調的組成知識

　　24)CMOS集成電路輸入腳懸空問(wèn)題

　　25)音頻功放電路的輸出端的濾波電容的大小估算?(低通濾波電容)

　　26)提高電路的工作頻率方法?(流水線(xiàn)技術(shù)?綜合時(shí)時(shí)序約束條件?最先到達的信號接近信號接收寄存器?)

　　筆試題二：

　　1)假設LED的導通電流為5mA，計算限流電阻的大小。(此題主要考察LED的正向導通壓降、歐姆定律。LED導通電壓降一般為1.5V到2.5V，因顏色不同而不同)

　　2)JTAG的各信號線(xiàn)是什么意義?(JTAG為聯(lián)合測試行動(dòng)小組的英文簡(jiǎn)稱(chēng)，主要信號線(xiàn)為：TDI——測試數據輸入，TDO——測試數據輸出，TCK——測試時(shí)鐘，TMS——測試模式選擇，TRST——測試復位)

　　3)IIC總線(xiàn)協(xié)議。為什么總線(xiàn)需要上拉電阻?(SDA——串行數據線(xiàn)，SCL——串行時(shí)鐘線(xiàn)。為了避免總線(xiàn)信號的混亂，要求各設備連接到總線(xiàn)輸出端時(shí)，為OD或者OC輸出。上拉電阻作用為保持總線(xiàn)有正常的高電平輸出)

　　4)AD電路中，為什么采用磁珠濾波，而不是用電感?

　　5)按鍵的中斷是電平觸發(fā)還是邊沿觸發(fā)?兩者有什么區別?(電平出發(fā)，如果中斷處理時(shí)間短于電平的時(shí)間，則會(huì )發(fā)生多次觸發(fā)中斷)

　　6)按鍵消抖。(軟件延時(shí)消抖，硬件雙穩態(tài)RS觸發(fā)器消抖，最經(jīng)濟的硬件消抖方式——RC電路濾波)

　　7)驅動(dòng)蜂鳴器的三極管工作在哪個(gè)區?如果拿來(lái)作為反相器呢?(放大區，做反相器時(shí)工作在飽和區和截止區)

　　8)PCB的兩條平行走線(xiàn)過(guò)長(cháng)，會(huì )有什么后果?

　　9)四層PCB的層信號分布怎樣的?為什么這樣就EMC性能好?(信號層、地層、電源層、信號層)

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