RTP預處理對直拉硅中銅沉淀行為及其電學(xué)性能的影響

全部作者： 王維燕 楊德仁 第1作者單位： 浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室 論文摘要： 我們使用紅外掃描電鏡，電子束誘生電流和微波光電導衰減儀等設備，研究了RTP預處理對直拉硅中Cu沉淀的行為及其電學(xué)性能的影響。實(shí)驗發(fā)現，與沒(méi)有經(jīng)過(guò)RTP預處理的情形相比較，經(jīng)RTP氬氣氣氛1200℃或1100℃預處理，幾乎對硅中Cu沉淀的尺寸和大小沒(méi)有影響，但導致硅片復合強度的增強和少子壽命的降低。然而經(jīng)RTP氧氣氣氛1200℃或1100℃的預處理，將會(huì )抑制Cu沉淀的形成并導致大尺寸Cu沉淀團聚，但仍然導致硅片少子壽命的降低。以上實(shí)驗結果表明，RTP預處理時(shí)注入的空位或自間隙硅原子會(huì )對硅中Cu沉淀的行為及其電學(xué)性能產(chǎn)生影響。此外，相比經(jīng)RTP1100℃或氧氣氣氛下預處理的硅片，經(jīng)RTP1200℃或氬氣氣氛下預處理的硅片具有更低的少子壽命。 關(guān)鍵詞： 硅，快速熱處理，壽命 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年10月26日 同行評議：

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