奇碼數字信息有限公司筆試題

1．畫(huà)出NMOS的特性曲線(xiàn)（指明飽和區，截至區，線(xiàn)性區，擊穿區和C-V曲線(xiàn)）

2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設計一個(gè)反相器，說(shuō)出器件尺寸。

3．說(shuō)出制作N-well的工藝流程。

4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。

5．用CMOS畫(huà)一個(gè)D觸發(fā)器（clk，d，q，q-）。

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