溶膠凝膠法制備摻銻二氧化錫薄膜的光電特性和表面形貌

全部作者： 張道禮 鄧志兵 張建兵 陳良艷 趙嵐 第1作者單位： 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 論文摘要： 以金屬無(wú)機鹽SnCl2?2H2O和SbCl3為原料，用sol-gel法在普通的載玻片基底上制備了摻Sb的SnO2透明導電薄膜。薄膜在70oＣ干燥，400~550oＣ進(jìn)行熱處理。使用U-3310紫外可見(jiàn)光分光光度計對其光學(xué)透光率進(jìn)行測試分析，薄膜具有80~90%的可見(jiàn)光透光率。使用從XRD衍射圖來(lái)看銻摻雜SnO2薄膜具有和純的SnO2薄膜1樣的金紅石結構，并用顯微鏡觀(guān)察了薄膜。分析了銻摻雜的濃度、燒結溫度以及拉膜的次數對薄膜性質(zhì)的影響。 關(guān)鍵詞： 銻摻雜2氧化錫薄膜 溶膠-凝膠法 透明導電薄膜 電學(xué)和光學(xué)性能 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年08月31日 同行評議：

1、摻雜2氧化錫薄膜已有很多研究報導，本文參考文獻引用需給出重要的原始文獻，合成方法方面也應給出原始的英文文獻（Thin Solid Films 1996）。 2、文章中文字錯誤較多，如“Sb”在引言中作者寫(xiě)為“Sib”，1些下標也不對；圖6（b）的標尺未給出；英文摘要不夠規范，建議重寫(xiě)。而圖8則寫(xiě)為圖6。 3、文中對晶粒變化對電阻率的解釋前后矛盾，第3頁(yè)中認為“晶粒趨于完整、致密，晶界相減少，從而減小了自由載流子遷移散射率，電子遷移率增大，導電性提高”，而在第4頁(yè)中認為“晶粒隨熱處理溫度的提高而長(cháng)大，使得載流子遷移時(shí)受到晶界散射作用而導致遷移率降低的效應減少......”。 4、文章創(chuàng )新性不夠，與他人已報導的研究成果相比并無(wú)先進(jìn)的地方。

綜合評價(jià)： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專(zhuān)家給出的評審意見(jiàn)，綜合評價(jià)是綜合專(zhuān)家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

【溶膠凝膠法制備摻銻二氧化錫薄膜的光電特性和表面形貌】相關(guān)文章：

硅薄膜的制備及光學(xué)性能研究03-01

摻鋁氧化鋅薄膜的光學(xué)性能研究03-07

鋁基疏油表面的制備03-03

固宮腸溶膠囊的制備及其質(zhì)量控制03-15

濺射功率和退火時(shí)間對Ca2Si薄膜結構特性的影響03-07

纖維基ZnO/Ag/ZnO多層膜表面形貌的AFM觀(guān)察03-07

化學(xué)浴沉積ZnSe薄膜及其光學(xué)特性研究03-07

實(shí)驗名稱(chēng)：橢圓偏振法測量薄膜厚度和折射率(一)03-07

二氧化鈦的制備及其在降解Cr(VI)中的研究03-01