化學(xué)浴沉積ZnSe薄膜及其光學(xué)特性研究

全部作者： 陳良艷 張道禮 黃川 張建兵 第1作者單位： 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 論文摘要： ZnSe作為重要的寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族半導體，在藍綠光發(fā)射器件、非線(xiàn)性光電器件、紅外器件以及薄膜太陽(yáng)能電池等方面有著(zhù)廣泛的應用�；瘜W(xué)浴沉積法是1種低能耗、污染小的合成路線(xiàn)。本文使用3乙醇胺和水合阱等做絡(luò )合劑，選用合適的陽(yáng)離子（醋酸鋅或硫酸鋅）和陰離子源(硒脲或硒帶硫酸鈉)濃度配比，沉積出均勻的ZnSe薄膜，薄膜呈淡黃色。用SGC-2型橢偏儀測得薄膜厚度約為100-140nm；通過(guò)X-射線(xiàn)衍射測得400℃下N2氣氛中退火的薄膜呈閃鋅礦結構，可見(jiàn)光范圍內的透光率可達70％以上，禁帶寬度為3.0eV左右，同塊體材料相比(2.7eV)，表現出1定的藍移。 關(guān)鍵詞： 化學(xué)浴 硒化鋅薄膜 光學(xué)特性 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年08月25日 同行評議：

該文報道了化學(xué)浴法制備ZnSe薄膜的有關(guān)結果。盡管文章的結構合理，書(shū)寫(xiě)規范，給出的實(shí)驗結果可信，但是從本質(zhì)上說(shuō)該工作缺乏新意。論文中提及薄膜禁帶寬度比體材料有所增加，但沒(méi)有給出合理的解釋。此外，薄膜的表面形貌和微觀(guān)結構的表征在文中沒(méi)有給出�？傊�，該文在實(shí)驗路線(xiàn)上缺乏新意，在對實(shí)驗結果的解釋上缺乏深度。

綜合評價(jià)： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專(zhuān)家給出的評審意見(jiàn)，綜合評價(jià)是綜合專(zhuān)家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

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