筆經(jīng)B
筆經(jīng)B
筆試經(jīng)驗： 筆試分兩部分 第一部分為技術(shù)測試，第二部分為英語(yǔ) 第一部分 約10題（憑記憶寫(xiě)吧），時(shí)間30分鐘（根本來(lái)不及做） 1.簡(jiǎn)單c代碼，寫(xiě)輸出結果 2.net延時(shí)問(wèn)題，比如1000um為50ps， 2000um延遲是多少，10個(gè)1000um串連是多少，中間 加上BUFFER又是多少？ 3.RC樹(shù)延遲問(wèn)題，給出R，C的`值和驅動(dòng)電平，求RC電路的延時(shí)，兩級RC電路的延時(shí) 4.畫(huà)CMOS反向器結構圖 標出個(gè)部分區域如N ,N-,Metal，Channel, Nwell，substrate,po ly-silicon etc 5.畫(huà)與非門(mén)電路和layout，棍圖 6.兩個(gè)D觸發(fā)器和一級buffer組成同步電路給個(gè)若干時(shí)序數據比如 buffer延時(shí)，tsetup thold，組合邏輯延時(shí)，時(shí)鐘SKEW。 算總延時(shí)，以及和時(shí)鐘頻率的關(guān)系，需要滿(mǎn)足的條件 (setup,hold) 7，兩個(gè)管子串聯(lián)，vdd接上管g，d和下管g ，下管s接地，上管s和下管d相連作輸出vout， 求vout 8.3個(gè)反相器串聯(lián)，給出最前面一個(gè)和最后面一個(gè)反相器P管和N管的寬長(cháng)比，問(wèn)中間的反向 器P管和N管的寬長(cháng)比，使得整個(gè)電路延遲最小 9.兩個(gè)電容并聯(lián)，給出C值，一個(gè)電容給另外一個(gè)放電，問(wèn)最終電容上的電壓。 第二部分，20分鐘 英文作文（200字），你認為從項目中學(xué)習知識重要還是從書(shū)本學(xué)習重要？
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