材料學(xué)專(zhuān)業(yè)開(kāi)題報告

　　寫(xiě)開(kāi)題報告前應該做好資料收集，寫(xiě)好文獻綜述，為論文開(kāi)題報告打好基礎。以下是yjbys小編分享的材料學(xué)專(zhuān)業(yè)開(kāi)題報告，歡迎閱讀借鑒。

　　1.論文題目：zno壓電薄膜制造瓷磚的研究

　　2.選題意義：

　　2.1理論意義

　　根據當前的物理尖端技術(shù)，利用壓電陶瓷的特性，利用真空制膜機，使用zno等材料制成可以將壓力轉化成電能的壓電薄膜。

　　2.2實(shí)踐意義

　　將壓電薄膜添加在瓷磚中，鋪設在火車(chē)站，飛機場(chǎng)等人流量大的地方，從而將人們走過(guò)的壓力轉化成電能以供給照明的用處從而達到節能減排的效果。

　　3.文獻綜述

　　3.1查閱的文獻類(lèi)型

　　主要有：書(shū)籍、期刊

　　3.2文獻查閱的方法

　　主要有：圖書(shū)館、CNKI、維普、萬(wàn)方

　　3.3參考的著(zhù)作

　　1.《ZnO壓電薄膜的制備與性能表征》

　　作者：許恒星，王金良，唐寧，彭洪勇，范超 于2009年8月第38卷第4期《人工晶體學(xué)報》

　　摘要：采用射頻磁控濺射法在硅(100)襯底上制備高質(zhì)量的ZnO壓電薄膜。利用x射線(xiàn)衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、壓電響應力顯微鏡(PFM)等儀器研究了薄膜成分，表面形貌和壓電性質(zhì)。結果表明：實(shí)驗制備的ZnO薄膜具有很好的壓電性質(zhì)，C軸取向和表面粗糙度對薄膜壓電特性有很大影響，高度c軸取向生長(cháng)和表面粗糙度較小的ZnO薄膜表現出更好的壓電性質(zhì)

　　2.《陶瓷薄膜制備及應用》

　　作者：盧旭晨;李佑楚;韓鎧;王風(fēng)鳴; 于1999期06版《材料導報》

　　摘要：對各種薄膜制備方法的特點(diǎn)(即物理方法、化學(xué)方法)進(jìn)行闡述，并且從氧化物和非氧化物的角度，綜述了陶瓷薄膜作為硬質(zhì)薄膜、氣敏薄膜以及鐵電、壓電等微電子薄膜的應用。

　　3.《0-3型壓電陶瓷/聚合物復合材料的制備工藝新進(jìn)展》

　　作者：李小兵;田蒔;張躍; 于2001年04期《功能材料》

　　摘要：03型壓電陶瓷/聚合物復合材料具有單相壓電陶瓷或聚合物所不具備的良好的綜合性能,因此引起了人們廣泛的興趣和研究。本文綜述了03型壓電復合材料的制備工藝及相應復合材料的壓電性能,重點(diǎn)介紹了水解聚合法、凝聚膠體法、溶液聚合法3種新型制備工藝,簡(jiǎn)要分析各種制備工藝的優(yōu)缺點(diǎn),為壓電陶瓷/聚合物復合材料(甚至是納米級壓電復合材料)的進(jìn)一步研究、開(kāi)發(fā)和應用提供依據。

　　4.《用PLD法制備聲表面波器件用ZnO薄膜》

　　作者：劉彥松;王連衛;李偉群;黃繼頗;林成魯; 于2001年01期《功能材料》

　　摘要：采用脈沖激光淀積(PLD)法在單晶Si(100)襯底上淀積了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明,淀積的ZnO薄膜具有良好的c軸取向性和表面平整度。通過(guò)改變淀積氣氛或在純氧中高溫退火,ZnO薄膜的電阻率提高到107Ω·cm.這些結果表明,用PLD法淀積的ZnO薄膜能夠滿(mǎn)足聲表面波(SAW)器件的需要。

　　5.《ZnO薄膜及其性能研究進(jìn)展》

　　作者：黃焱球;劉梅冬;曾亦可;劉少波; 于2001年03期《無(wú)機材料學(xué)報》

　　摘要：ZnO薄膜是一種具有優(yōu)良的壓電、光電、氣敏、壓敏等性質(zhì)的材料，在透明導體、發(fā)光元件、太陽(yáng)能電池窗口材料、光波導器、單色場(chǎng)發(fā)射顯示器材料、高頻壓電轉換器、表面聲波元件、微傳感器以及低壓壓敏電阻器等方面具有廣泛的用途。ZnO薄膜的制備方法多樣，各具優(yōu)缺點(diǎn);而薄膜性質(zhì)的差異則取決于不同的摻雜組分，并與制備工藝緊密相關(guān)。本文綜述了ZnO薄膜的制備及性質(zhì)特征，并對其發(fā)展趨勢及前景進(jìn)行了探討。

　　4.研究設計

　　4.1概念界定

　　zno壓電薄膜：ZnO薄膜是一種具有優(yōu)良的壓電、光電、氣敏、壓敏等性質(zhì)的材料，在透明導體、發(fā)光元件、太陽(yáng)能電池窗口材料、光波導器、單色場(chǎng)發(fā)射顯示器材料、高頻壓電轉換器、表面聲波元件、微傳感器以及低壓壓敏電阻器等方面具有廣泛的用途

　　瓷磚：是以耐火的金屬氧化物及半金屬氧化物，經(jīng)由研磨、混合、壓制、施釉、燒結之過(guò)程，而形成之一種耐酸堿的瓷質(zhì)或石質(zhì)等之建筑或裝飾之材料，總稱(chēng)之為瓷磚。其原材料多由粘土、石英沙等等混合而成。

　　4.2研究假設

　　通過(guò)采用射頻磁控濺射法在硅(100)襯底上制備高質(zhì)量的ZnO壓電薄膜可以做到將壓力轉換為電能的效果。

　　4.3研究?jì)热?/p>

　　4.3.1查閱論文期刊，從理論上分析出可以利用zno制作出壓電薄膜;

　　4.3.2通過(guò)借助我們的指導教師任岳導師實(shí)驗室中的射頻磁控濺射法在硅(100)襯底上制備高質(zhì)量的ZnO壓電薄膜

　　4.3.3檢測制作的zno壓電薄膜導電能力并結合到瓷磚中從而利用到實(shí)踐中。

　　4.4研究方法

　　文獻法、實(shí)驗法、觀(guān)察法等，通過(guò)理論加實(shí)驗分析相結合的方法，利用到學(xué)校的一些地方加以檢驗。

　　4.5研究步驟

　　查閱資料→理論分析→射頻磁控濺射制作薄膜→驗證轉化效率→結合瓷磚→實(shí)際檢測→得出結論

　　5.結論

　　通過(guò)研究發(fā)現可以實(shí)現將壓力轉化為電能，但效率比較低，可以進(jìn)一步研究通過(guò)zno和其他材料相結合的或者通過(guò)合理布局瓷磚設計從而提高轉化以及利用效率。

　　6.參考文獻

　　[1]馬勇，王萬(wàn)錄，呂建偉，等。ZnO薄膜的光致發(fā)光[J].功能材料，2004,35(2):139-144

　　[2]李世濤，喬學(xué)亮，陳建國。透明導電薄膜的研究現狀及應用[J].激光與光電子學(xué)進(jìn)展，2003,4o(7)：53-59.

　　[3]葛春橋，薛亦渝，夏志林。AZO透明導電薄膜的制備技術(shù)光電特性及應用[J].真空電子技術(shù)，2004,16(6)：51-54.

　　[4]鄧允棣。氧化鋅摻雜的研究進(jìn)展[J].科協(xié)論壇，2007,7(2)：50-51

　　[5]許小紅，武海順。壓電薄膜的制備、結構與應用[M].北京：科學(xué)出版社，2002.

　　[6]賀洪波，范正修。C軸擇優(yōu)取向ZnO薄膜的濺射工藝與結構研究[J].功能材料，2000,31(增刊)：77.78

　　[7]包定華，張良瑩，姚熹。薄膜壓電性能的測量方法[J].硅酸鹽通報，1999,18(3)：18-22

　　[8]馬孜，呂百達。光學(xué)薄膜表面形貌的原子力顯微鏡觀(guān)察[J].電子顯微學(xué)報，2000,19(5)：lO一13.

　　[9]滕風(fēng)恩，煜明，姜小龍，等。x射線(xiàn)結構分析與材料性能表征[M].北京：科學(xué)出版社，1997:25-40

　　[10]林?zhù)櫼�，張焱，丁世昌，等。納米ZnO薄膜制備技術(shù)及其特性的研究[J].北京理工大學(xué)學(xué)報，1995,15(2)：132-137.

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