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電源工程師面試筆試指南
最近看網(wǎng)上多了很多畢業(yè)設計相關(guān)的帖子，原來(lái)又到一年畢業(yè)時(shí)，感嘆時(shí)間的飛快! 回想起自己當年鄰近畢業(yè)的那段，除了忙于畢業(yè)設計，印象最深的就是找工作---參加校園招聘的日子。
電源工程師面試筆試指南
參加過(guò)IC公司、電源公司的招聘，大多是“筆試+面試”的模式。
華為電源面試，是我參加過(guò)的最正式和流程最多的面試，沒(méi)有之一。我認為有機會(huì )，多參加這樣的面試，你會(huì )學(xué)到更多。
本帖分享下我的華為電源面試經(jīng)歷，和大家交流，同時(shí)也希望能給即將畢業(yè)的或者新人做個(gè)參考。
帖中將包括兩部分內容：
1、 華為電源面試過(guò)程分享
2、 面(筆)試題分享
(有華為的面試題、IC公司招AE的筆試題、電源公司招工程師的筆試題，題目不是很難，但我覺(jué)得都很好，各位看看對幾個(gè)。)
下面開(kāi)始
第一部分：華為電源面試過(guò)程
參加華為電源的招聘，比較偶然，那時(shí)候剛好到我們學(xué)校來(lái)招聘，而我原來(lái)在外面實(shí)習，因為畢業(yè)論文要回校處理，就這么碰上了。
華為電源校招時(shí)沒(méi)有筆試題，主要是以下幾個(gè)流程，我畫(huà)了張圖。個(gè)別的由于時(shí)間安排關(guān)系，順序會(huì )有調整。
面試過(guò)程中給人一種壓力感，從網(wǎng)申開(kāi)始，每一關(guān)都可能刷人。這面試有點(diǎn)像游戲中的打怪升級。
最近看論壇多了很多畢業(yè)設計相關(guān)的帖子，原來(lái)又到一年畢業(yè)時(shí)，感嘆時(shí)間的飛快! 回想起自己當年鄰近畢業(yè)的那段，除了忙于畢業(yè)設計，印象最深的就是找工作---參加校園招聘的日子。
參加過(guò)IC公司、電源公司的招聘，大多是“筆試+面試”的模式。
華為電源面試，是我參加過(guò)的最正式和流程最多的面試，沒(méi)有之一。我認為有機會(huì )，多參加這樣的面試，你會(huì )學(xué)到更多。
本帖分享下我的華為電源面試經(jīng)歷，和大家交流，同時(shí)也希望能給即將畢業(yè)的或者新人做個(gè)參考。
下面包括兩部分內容：
1、 華為電源面試過(guò)程分享
2、 面(筆)試題分享
(有華為的面試題、IC公司招AE的筆試題、電源公司招工程師的筆試題，題目出的都蠻好，各位看看能否拿多少分。)
開(kāi)關(guān)電源工程師面試題--你能打多少分?
共25題1---20題每題3分21---25題每題8分(答案見(jiàn)文章末尾處)
1 ， 一般情況下，同功率的開(kāi)關(guān)電源與線(xiàn)性電源相比， _____ 。
A, 體積大，效率高
B，體積小，效率低
C, 體積不變，效率低
D, 體積小，效率高
2 ，大功率開(kāi)關(guān)電源常用變換拓撲結構形式是 _____ 。
A, 反激式
B, 正激式
C, 自激式
D, 他激式
3,一般來(lái)說(shuō)，提高開(kāi)關(guān)電源的頻率，則電源_____。
A,同體積時(shí)，增大功率
B,功率減小，體積也減小
C,功率增大，體積也增大
D,效率提高，體積增大
4，肖特基管和快恢復管常作為開(kāi)關(guān)電源的____。
A,輸入整流管
B,輸出整流管
C,電壓瞬變抑制管
D,信號檢波管
5，肖特基管與快恢復管相比，____。
A,耐壓高
B,反向恢復時(shí)間長(cháng)
C,正向壓降大
D,耐壓低，正向壓降小
6，GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，那些是開(kāi)關(guān)電源中變壓器常用的驅動(dòng)元件?____。
A,GTO和GTRB,TRIAC和IGBT
C,MOSFET和IGBT
D，SCR和MOSFET
7，開(kāi)關(guān)電源變壓器的損耗主要包括：____。
A,磁滯損耗、銅阻損耗、渦流損耗
B,磁滯損耗、銅阻損耗、介電損耗
C,銅阻損耗、渦流損耗、介電損耗
D,磁滯損耗、渦流損耗、介電損耗
幾個(gè)開(kāi)關(guān)電源工程師基礎筆試題
1、普通二極管和電力電子用的二極管在結構上有什么區別?提示：psn結構，s層的作用是什么?可以從雜質(zhì)摻雜濃度來(lái)分析。
2、在現代開(kāi)關(guān)器件中，經(jīng)�？梢钥吹絧unch through技術(shù)的應用。請介紹一下這種技術(shù)的原理和它的優(yōu)點(diǎn)(相比起沒(méi)有使用此技術(shù)的器件)。
3、IGBT有“電導調制”的特點(diǎn)，應此igbt在大電流，較低頻率的應用場(chǎng)合較MOSFET更有優(yōu)勢。何謂電導調制?
4、thyristor和gto結構上大同小異，但后者卻能夠實(shí)現主動(dòng)關(guān)斷。請介紹一下生產(chǎn)工藝上的差異。
5、在大電流應用場(chǎng)合，有時(shí)需要多管并聯(lián)�，F在可供選擇的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并聯(lián)，哪些不可以?原因是什么?
6、在常用的dcdc converter中，如buck converter 或boost converter，二極管的反相恢復時(shí)間對能量損耗的影響很大。為改善損耗，請給出兩種方法。提示：新器件及拓撲結構。
答案往下(僅供參考而已)
1答：通常為了增加二極管的耐壓，理論上可以增厚pn結，并且降低雜質(zhì)濃度，但是缺點(diǎn)是正相導通損耗變大。
通過(guò)加一層低雜質(zhì)的s層，性能得到改觀(guān)：正相導通的時(shí)候s層完全導通，近似于短路，直接pn連接，所以壓降小;反相接電壓的時(shí)候，由于s層的雜質(zhì)濃度低，電導低，或者說(shuō)此s層能夠承受的最大電場(chǎng)E較大，所以s層能夠承受較大電壓而不被擊穿。
2答：在開(kāi)關(guān)器件中，用于提高耐壓的s層往往并沒(méi)有得到充分的利用，因為s層的一端耐壓為Emax的時(shí)候，另外一段為0，也就是說(shuō)，E在s層并不是均勻分布的，Umax~0.5(Emax+Emin)——注意，器件耐壓只取決于s層中E對于l長(cháng)度的積分。punch through就是在s層與pn結直接再加一層高雜質(zhì)摻雜的薄層，使得此層中電場(chǎng)由Emax變化到Emin=0，而真正的s層中處處場(chǎng)強都接近于Emax。
理論上，通過(guò)punch through技術(shù)，s層的寬度可以減少50%——在耐壓不變的前提下。實(shí)際中由于s層必須有一定的電導，寬度會(huì )略大于50%。
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