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高精度時(shí)鐘芯片SD2001E及其應用
摘要:介紹一種內置晶振、充電電池、串行NVRAM的高精度和免調校實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片SD2001E。由該芯片構成的時(shí)鐘電路具有精度高、外圍電路和接口電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。文中詳細描述芯片的主要特性、引腳說(shuō)明及其工作原理,給出在嵌入式系統中的應用方法、硬件接口電路及應用程序。實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路在以單片機為核心構成的智能儀器儀表、測控系統、工業(yè)控制等領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用,但現有的時(shí)鐘電路存在著(zhù)外圍電路(如需外接晶振、電池)和接口電路(并行接口)復雜、功能單一等缺點(diǎn)。SD2001E則是在內部集成了實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路、串行非易失性SRAM、可充電電池、晶振及電池管理電路的新型實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片。該芯片與單片機的接口電路采用工業(yè)標準I2C總線(xiàn),從而簡(jiǎn)化了接口電路設計。利用該芯片無(wú)需擴展任何外圍元件,即可構成一個(gè)高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘及具有256Kb非易失性SRAM的數據存儲電路。
1 主要特性及引腳說(shuō)明
SD2001E時(shí)鐘芯片的主要特性如下:
*年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出;
*I2C總線(xiàn)接口(包括實(shí)時(shí)時(shí)鐘部分和SRAM部分);
*自動(dòng)日歷到2099年(包括閏年自動(dòng)換算功能);
*內置晶振,出廠(chǎng)前已對時(shí)鐘進(jìn)行校準,保證精度為±4×10 -6,即時(shí)鐘年誤差小于2min;
*低功耗,典型值為1.0μA(VDD=3.5V);
*工作電壓為3.0~5.5V(其中NVRAM在4.5~5.5V工作);
*可設置的兩路鬧鐘輸出及32 768Hz~1Hz的方波信號輸出;
*可設置的每分鐘固定中斷輸出或選定頻率固定中斷輸出;
*內置充電電路和充電電池,充滿(mǎn)一次可保持內部時(shí)鐘走時(shí)時(shí)間超過(guò)1年以上,可滿(mǎn)充電次數達200次;
*內置電源管理電路,當VDD≥3.0V,內部電池不耗電;
*內置穩定電路及電池掉電檢測電路;
*內置256Kb的非易失性SRAM,其擦寫(xiě)次數為100億次,且沒(méi)有內部寫(xiě)延時(shí)。
SD2001E采用24腳DIP封裝形式。各引腳的功能如表1所列,其外形及引腳排列如圖1所示。
表1 SD2001E引腳說(shuō)明
16~18、5~9NC空引腳 19INT1報警中斷1輸出腳,根據中斷寄存器與狀態(tài)寄存器來(lái)設置其工作的模式,當定時(shí)時(shí)間到達時(shí)輸出低電平或時(shí)鐘信號。它可通過(guò)重寫(xiě)狀態(tài)寄存器來(lái)禁止N溝道開(kāi)路輸出(與VDD端之間無(wú)保護二極管)20SDAESRAM串行數據輸入/輸出腳開(kāi)路輸出21SCLESRAM串行數據時(shí)鐘腳CMOS輸入23INT2報警中斷2輸出腳,同INT1 24VDD正電源
2 工作原理
SD2001E內部包括實(shí)時(shí)時(shí)鐘與NVRAM兩部分,內部原理框圖如圖2所示。
2.1 實(shí)時(shí)時(shí)鐘
SD2001E實(shí)時(shí)時(shí)鐘是基于I2C總線(xiàn)的器件,故對該器件的操作必須嚴格遵守總線(xiàn)時(shí)序。當CPU發(fā)出起始條件,建立與實(shí)時(shí)時(shí)鐘連接后,CPU通過(guò)SDA總線(xiàn)連續輸出4位器件地址、3位操作指令和1位讀/寫(xiě)指令,其格式如下:
DB7DB6DB5DB5DB3DB2DB1DB00110C2C1C0R/W實(shí)時(shí)時(shí)鐘器件的地址固定為“0110”,接下來(lái)的3位操作指令構成了對實(shí)時(shí)時(shí)鐘部分的8條操作指令,具體指令含義如表2所列。
表2 SD2001E實(shí)時(shí)時(shí)鐘指令表
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