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MOS值優(yōu)化移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )論文
1傳輸網(wǎng)、核心網(wǎng)側對于MOS值的影響與優(yōu)化
后臺觀(guān)察15min后，RNC、NodeB、7670發(fā)送cell包和接收cell包的時(shí)延，三者時(shí)延幾乎一致，說(shuō)明Iub口傳輸無(wú)時(shí)延丟包現象，傳輸網(wǎng)、核心網(wǎng)側參數設置滿(mǎn)足語(yǔ)音業(yè)務(wù)需求，MOS值已達到最優(yōu)。
2無(wú)線(xiàn)網(wǎng)側對于MOS值的影響與優(yōu)化
無(wú)線(xiàn)網(wǎng)側對MOS值的影響及優(yōu)化主要是通過(guò)對空口Uu的相關(guān)參數的檢驗，包括空口參數及無(wú)線(xiàn)環(huán)境兩個(gè)方面的研究。
2.1空口數據傳輸質(zhì)量相關(guān)參數
分析檢查手機和NodeB之間的內環(huán)和外環(huán)功率控制過(guò)程。在不影響網(wǎng)絡(luò )系統容量的情況下，手機和NodeB之間的語(yǔ)音信號采用適當的功率控制過(guò)程，可以有效地減少語(yǔ)音數據傳輸誤碼。大量測試分析結果表明，網(wǎng)絡(luò )系統內環(huán)和外環(huán)功率控制過(guò)程達到系統設定要求，對MOS值的影響不大�？湛跓o(wú)線(xiàn)側通過(guò)調節防止傳輸抖動(dòng)參數Framediscard來(lái)降低誤碼塊。針對不同的傳輸設備和傳輸中繼情況，應設定與其傳輸條件相符的防止傳輸抖動(dòng)參數值，從而達到減少傳輸誤碼塊提高M(jìn)OS值的目的。表3是定點(diǎn)測試時(shí)，在防止傳輸抖動(dòng)參數設定不同值時(shí)相應的MOS值變化，可以看出該參數選取27時(shí)，對應MOS值最高為4.041，同時(shí)MOS值低于3所占的比例最小，故此種傳輸條件時(shí)應將該參數設置為27以提高M(jìn)OS值。因此在不同的傳輸條件下必須要進(jìn)行大量的測試，通過(guò)實(shí)驗結果來(lái)選定合適的防止傳輸抖動(dòng)參數值，進(jìn)而實(shí)現MOS值的最大化。
2.2無(wú)線(xiàn)環(huán)境優(yōu)化
MOS值的高低與無(wú)線(xiàn)環(huán)境好壞有直接的關(guān)系。通過(guò)現場(chǎng)測試發(fā)現，實(shí)現MOS值的無(wú)線(xiàn)側優(yōu)化關(guān)鍵是優(yōu)化當地的無(wú)線(xiàn)環(huán)境，而天饋線(xiàn)調整是最優(yōu)方法。下面通過(guò)案例來(lái)闡述無(wú)線(xiàn)環(huán)境對MOS值的影響。測試車(chē)輛由南向北行駛，行駛至某小區北側約290m處時(shí)，手機RSCP為-72.55dbm左右，Ec/Io強度較差，達到-11dB左右，此時(shí)該路段經(jīng)常發(fā)生各種問(wèn)題。通過(guò)實(shí)際勘測分析，發(fā)現某小區基站天線(xiàn)掛高45m，下傾角只有3度，該路段由于距離基站較近，存在塔下黑現象，并且根據該小區覆蓋圖發(fā)現某小區存在明顯越區覆蓋現象，無(wú)線(xiàn)環(huán)境較差，Ec/Io普遍小于-12db。調整某小區下傾角經(jīng)復測后，各小區之間接續良好，該路段Ec/Io得到增強，有明顯改善，Ec/Io值都分布在-6db到-8db之間，RSCP為-67.16dbm左右，無(wú)線(xiàn)環(huán)境得到了優(yōu)化，網(wǎng)絡(luò )的語(yǔ)音質(zhì)量MOS值得到提高。
3實(shí)驗結果
MOS測試可以直觀(guān)反映用戶(hù)感知度，與以往MOS測試選擇道路作為選測點(diǎn)不同，此次MOS測試和提升主要是集中在12個(gè)典型的用戶(hù)住宅小區內，意在通過(guò)提升住宅小區的MOS值來(lái)提高網(wǎng)絡(luò )質(zhì)量。以萬(wàn)寶2區為例，從維護系統觀(guān)察到優(yōu)化后的RSCP覆蓋明顯優(yōu)于優(yōu)化前的覆蓋情況，優(yōu)化后電平值RSCP均大于-100dbm。表4是萬(wàn)寶2區優(yōu)化前后Ec/Io和MOS值的分布，從表中可以看出優(yōu)化前該小區的MOS均值是3.709，而優(yōu)化后其MOS均值為3.964，高出優(yōu)化前6.88個(gè)百分點(diǎn)。所選的12個(gè)居民小區優(yōu)化前后MOS值分布如圖1，通過(guò)計算得出其優(yōu)化前MOS均值為3.8173，優(yōu)化后的MOS均值為3.9322，并且優(yōu)化后的MOS值均高于優(yōu)化前的MOS值，說(shuō)明當地網(wǎng)絡(luò )覆蓋水平提高，用戶(hù)感知度提高。當取采樣點(diǎn)相近的幾個(gè)測試結果進(jìn)行比較時(shí)，當采樣點(diǎn)落在Ec/Io大于-6db比例增高時(shí)，MOS值也有所提升。而采樣點(diǎn)落在Ec/Io小于-12db比例增高時(shí)，MOS值有所下降。由此可以得出結論：為了實(shí)現MOS值的無(wú)線(xiàn)側優(yōu)化關(guān)鍵就是提高采樣點(diǎn)落在Ec/Io好區間的比例，降低采樣點(diǎn)落在Ec/Io差區間的比例，即優(yōu)化當地的無(wú)線(xiàn)環(huán)境。通過(guò)對服務(wù)小區的基站進(jìn)行天饋線(xiàn)優(yōu)化，適當調節天線(xiàn)的方位角與俯仰角，可以使得無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )覆蓋更加合理，減少導頻污染和覆蓋盲區等問(wèn)題，從而達到改善Ec/Io，提高當地無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )覆蓋，提高了MOS值，提升了用戶(hù)感知度。
4結束語(yǔ)
MOS值測試是對用戶(hù)通話(huà)習慣的模仿，真實(shí)反映用戶(hù)通話(huà)質(zhì)量，提升MOS值對于提高無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )質(zhì)量，提升用戶(hù)感知度有至關(guān)重要的影響。在本文中，提出了提高M(jìn)OS值的傳輸、核心網(wǎng)側和無(wú)線(xiàn)側的優(yōu)化方案和手段，通過(guò)對12個(gè)小區進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現了提高M(jìn)OS值的目的，證明了本文所提的優(yōu)化方案能有效提高M(jìn)OS值，具有廣泛推廣和借鑒的意義。
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