SiC襯底上SiCGe外延薄膜的結構分析

全部作者： 陳治明 李連碧 林濤 蒲紅斌 李佳 李青民 第1作者單位： 西安理工大學(xué) 論文摘要： 用SEM和TEM對熱壁化學(xué)氣相沉積法(HWCVD)在SiC襯底上外延生長(cháng)的SiCGe薄膜進(jìn)行了結構分析，發(fā)現薄膜生長(cháng)具有明顯的隨溫度改變的島狀生長(cháng)特征，且遵循Stranski-Krastanov（SK）生長(cháng)模式。溫度較低時(shí)，在生長(cháng)初期形成的2D生長(cháng)層的上方，樣品具有兩種不同的島狀結構：1種是球形結構，另1種是3角型層狀堆疊結構。前者形狀規則，在樣品中占主導地位，后者具有銳利整齊的臺階狀邊緣，數量較少。隨著(zhù)溫度的升高，球形島逐漸減少，3角島逐漸增多，且在高溫下樣品中的3角島占主導地位。高分辨TEM 分析表明，高溫SiCGe/SiC樣品的界面清晰整齊，其生長(cháng)初期形成的2D層厚度達到了40nm，幾乎為溫度較低時(shí)2D生長(cháng)層厚度的兩倍。衍射花樣的標定表明：2D層和3角島為閃鋅礦型結構，而球形島則為金剛石型結構。 關(guān)鍵詞： SiC；SiCGe；島狀生長(cháng)；熱壁化學(xué)氣相沉積 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月30日 同行評議：

論文研究分析了SiCGe在SiC襯底上外延生長(cháng)過(guò)程中溫度對薄膜結構的影響。有1定的新穎性，對于該領(lǐng)域的研究人員有參考價(jià)值。但文中有1些小錯誤需要修改，如英文摘要中倒數第3行“TED”是否應該為“TEM”。還有，論文最好對實(shí)驗結果做1些更深入的討論，這樣可以提高論文的學(xué)術(shù)水平�！�

綜合評價(jià)： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專(zhuān)家給出的評審意見(jiàn)，綜合評價(jià)是綜合專(zhuān)家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

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