干刻蝕對于不同負載效應造成選擇比差異導致的缺陷分析與解決方案

全部作者： 趙弘鑫 程秀蘭 第1作者單位： 中芯國際集成電路制造有限公司 論文摘要： 在半導體制造工藝的干法刻蝕（Dry Etching）中，對于刻蝕薄膜表面面積大小的差異性會(huì )造成負載效應（Loading effect）。然而這種負載效應影響到干刻蝕的蝕刻率（Etch Rate）和選擇比(Selectivity)而在產(chǎn)品上出現嚴重的缺陷。本文闡述了負載效應的基本原理和造成選擇比差異性的成因以及對于由此產(chǎn)生產(chǎn)品缺陷的具體解決方案。 關(guān)鍵詞： 半導體制造，干法刻蝕，負載效應，選擇比，缺陷 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月30日 同行評議：

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